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1986年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
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A standard CMOS optical interconnect is proposed, including an octagonal-annular emitter, a field oxide, metal 1-PSG/BPSG-metal 2 dual waveguide, and an ultra high-sensitivity optical receiver integrated with a fingered P+/N-well/P-sub dual photodiode detector. The optical interconnect is implemented in a Chartered 3.3-V 0.35-μm standard analog CMOS process with two schemes for the research of the substrate noise coupling effect on the optical interconnect performance: with or without a GND-guardring around the emitter. The experiment results show that the optical interconnect can work at 100 kHz, and it is feasible to implement optical interconnects in standard CMOS processes. 相似文献
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在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。 相似文献
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提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃~50℃范围内,脉冲周期从1.841μs~0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。 相似文献
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