适用于EEPROM的低功耗高效率的高压产生电路

本文提出了一种应用于嵌入式EEPROM的低功耗和高效率的高电产生电路。低功耗的实现是基于电容分压电路和控制时钟的稳压电路技术;高效率是由于采用了零阈值Vth MOSFET和电荷传输开关技术的电荷泵。该高电压电路采用0.35 μm CMOS工艺流片。测试结果表明,高电产生电路的功耗约150.48 μW和电荷泵效率高达83.3％,因此高电产生电路也可广泛用于低功耗Flash中。     

ROF与PA结合系统的数字预失真处理

建立了一个光载无线通信(RoF)与功率放大器(PA)结合的无线通信系统的数字预失真仿真结构,使用Matlab软件建立RoF和PA的模型,并运用间接学习结构的预失真方法和最小均方误差(LMS)算法搭建了预失真仿真系统,采用联合补偿和单独补偿两种方式的补偿结构,分析了两种结构的优缺点。通过功率谱密度图的对比,分析了两种补偿方式的效果。仿真结果表明,预失真处理有效地补偿了RoF与PA组成的无线通信系统的非线性。     

应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究

在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件下,测得最大输出功率为10.212μW,短路电流和开路电压分别为28.763μA和0.458V,光电转换效率为5.106%。相对于常规Si太阳能电池复杂的制造工艺,本文太阳能电池阵列与CMOS工艺相兼容,可与电路系统集成从而实现片上供电。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨

本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻特性产生机理,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用,这一看法得到了实验验证.     

谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性

研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管 (RTD) ,峰谷比达到了 5∶ 1,最高振荡频率为 2 6 .3GHz.采用基于物理意义的电流 -电压方程 ,利用通用电路模拟软件 PSPICE,建立了其直流电路模型 ,模拟结果和实验数据吻合得很好 ;并以此为基础模拟出了以 RTD为驱动器 ,以电阻或 RTD本身为负载的电路双稳态特性 ,同时分析了 RTD器件双稳态特性 .     

由OLED和PDUBAT构成的光学双稳态

对以Al/Alq3/TPD/ITO/玻璃有机／聚合物发光二极管（OLED）为负载器件,以光电双基区晶体管（PDUBAT）型硅光电负阻器件为驱动器件而构成的光学双稳态反相器进行了实验研究。测量了输出光强－输入光强光 学 双稳态特 性曲线,并对实验结果进行了分析讨论。     

GIS的生态环境应急监测实践探讨

由于生态环境受外界因素的影响较大,发生突发环境事件的几率也较高,做好应急监测能够有效减少突发环境事件给人们的正常生活所造成的影响。而随着科学技术的不断发展,生态环境应急监测开始运用GIS技术进行,在监测效率上有着明显的提升。本文对GIS的生态环境应急监测含义进行分析,并提出GIS的生态环境应急监测实践策略,旨在为今后开展相关研究提供参考。     

不同层状变燃速发射药药型的内弹道性能数值模拟

为研究药型对层状变燃速发射药内弹道性能的影响，基于经典内弹道理论建立了多种药型的层状变燃速发射药物理燃烧模型，并推导计算了对应的形状函数与燃气生成猛度表达式，通过VC++软件对在定容条件下的不同药型的层状变燃速发射药内弹道性能进行了数值计算。结果表明：圆饼与方片层状变燃速发射药的燃烧性能相似，且比两面包覆的矩形变燃速发射药燃烧性能好；对于长方体变燃速发射药四面包覆比两面包覆的燃气生成猛度有明显的提高。在12.7mm枪装填条件下，长方体四面包覆比两面包覆膛内最大压力和弹丸初速分别降低11.94%和2.39%。     

基于HPLC技术的智能电网数据采集系统设计

为了解决智能电网数据采集系统中经常出现的调度失衡、采集装置负荷波动等问题，设计了一种智能电网数据采集系统。该系统基于矢量正交频分复用(VOFDM)的高速电力线载波(HPLC)通信技术，在接收端配备了两个非线性预处理器，具有较好的峰均功率比特性。该系统能够提高非线性预处理器的效率，以解决传输易受到电磁干扰的问题。此外，该系统还应用了自行设计的新型智能电网采集装置，可对电网负荷波动数据进行交、直流检测。试验结果表明，在相同的条件下，峰均功率比阈值最高降低了4.6 dB,通信性能增益显著，大大提高了智能电网数据采集能力。