A novel power amplifier structure for RFID tag applications

A novel matching method between the power amplifier(PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented.A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240×70μm~2 in a 0.18μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors.Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal,the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point.     

三合店钾长石矿地质特征及找矿前景

三合店岩体分布范围广,属燕山早期酸性岩浆侵入产物。属高钾（K2O含量8.08%～10.80%）、中钠（Na2O含量3.52%～5.08%）的二长花岗质岩石,钾长石斑晶易与基质矿物分离利用。本文总结了湖北省三合店钾长石矿地质特征,对本区找矿前景与开发利用方向提出了合理化建议。     

液体胍胶非水悬浮液的制备与水合性能

采用羟丙基胍胶、聚乙二醇及悬浮剂等制备了液体胍胶非水悬浮液,分别考察了液体胍胶非水悬浮液的表观黏度、悬浮率及水合速率,进一步探讨了该液体胍胶体系快速水合起黏的影响因素。流变及静置沉降实验结果表明,季铵盐改性的有机黏土适合作为液体胍胶的悬浮剂,液体胍胶的黏度随悬浮剂加量的增加而轻微增加,且其悬浮率随该悬浮剂加量的增加而急剧增大。悬浮剂加量为5%的液体胍胶在340 s-1下的表观黏度为650m Pa·s左右,在1 d内基本不沉降,在2 d内的悬浮率能够保持在98%以上。粉液比(胍胶与聚乙二醇的质量比)在1∶5~1∶2之间时,其对应的液体胍胶于340 s-1下的表观黏度值在200~700 m Pa·s之间,具备较好的流动性,便于连续混配设备泵送。水合起黏实验结果表明,与在中性环境下相比,弱酸性环境下采用该液体胍胶配制的压裂液基液具有更快的水合起黏速率,而碱性环境下该压裂液基液基本不起黏。配液用水pH值为5时,基液黏度在3~5 min内即达到最佳基液黏度的85%~90%。配液时采用高剪切循环速率会加快液体胍胶的起黏速率。     

全膜电容器的老化试验

1.EDF的工作经验复合介质电容器的老化试验表明:电容器的击穿不是在5000小时附近发生,就是在13000小时以后发生(见表1)。此外,可以观察到:在老化试验期间,     

隧道结TiOx线宽度对隧穿现象的影响

在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.     

14位流水线A/D转换器采样电容值的优化

针对14位流水线A/D转换器中各级采样电容值的优化问题,提出了在系统模型中加入热噪声模型的方法。在14位流水线A/D转换器结构下,通过系统级仿真,得出采样保持放大器(SHA)的采样电容Cs必须大于10 pF,第一级余数放大器的采样电容必须大于2 pF,才能使有限的采样电容引起系统信噪比的衰减小于1 dB的结论。     

脉冲时间对AFM阳极诱导氧化加工的影响

通过改变AFM阳极诱导氧化加工点结构时的偏压和脉冲时间，发现氧化点高度和宽度与所施加偏压呈对数关系，并且发现氧化点高度与宽度与脉冲时间呈指数关系．同时，在环境温度和氧气浓度保持不变的条件下通过改变加工中的相对大气湿度，研究了大气湿度对所加工氧化点结构的高度和宽度的影响，即氧化点的高度和宽度都随着相对湿度的增加而增加。通过实验，发现扫描速率为1μm/s、所施加偏压为7V、脉冲时间为1s、相对湿度为40％左右时所加工结构较为理想．     

RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制

对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,棚压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.     

平面型共振隧穿二极管的制作

采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管（RTD），通过离子注入将器件之间进行隔离，避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点，并且表现出良好的I-V特性，峰谷电流比为3．4．通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成．     

图像"三针法"测量锥螺纹中径及测量不确定度评定

针对一种基于CCD图像的锥螺纹参数测量系统的开发,介绍了图像"三针法"的测量原理,并对图像"三针法"测量锥螺纹中径进行了测量不确定度的评定.