用于安检应用的Ka波段毫米波成像平台研究

本篇文章介绍了用于安检的Ka波段毫米波成像平台,其中Ka波段接收机射频前端为直接检波体制,采用自行研制的MMIC LNA,在RT/duroid 5880基片上进行级联。利用扇叶切割天线波束产生交流视频信号,去除直流噪声。制作的毫米波成像平台由单片机控制可以进行二维扫描,并将视频信号进行采集处理,传输给计算机得到毫米波图像。对毫米波接收机放大器模块和检波器进行了性能测试,并利用成像平台对藏有金属的假肢进行成像实验,得到的毫米波图片大致显示出假肢和金属的形状,表明本毫米波成像平台可以用于检测诸如藏在假肢中的枪支等违禁品。     

毫米波宽带多功能芯片研制

本文给出了一种运用Agilent ADS2008设计实现毫米波接收机前端多功能芯片研制方法。该款芯片实现了低噪声放大器与电阻型混频器的单片集成,芯片尺寸≤2.5mm×2.0mm×0.1mm。实际测试指标为:工作频率范围24GHz～40GHz,中频频率范围DC～1GHz,变频增益≥5dB,直流功耗≤47mW,双边带噪声系数≤3.6dB,本振功率≤2dBm。     

高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器．该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成．电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好．MMIC芯片测试指标如下：在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB．芯片尺寸：1mm×2mm×0.1mm．这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器．     

InP基RTD特性的数值模拟研究

采用基于非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green’s function,NEGF)量子输运模拟器WinGreen对InP基共振隧穿二极管(RTD)的输运特性进行了计算模拟,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In组份势阱双势垒结构几何参数、散射参数、发射区和集电区掺杂浓度以及隔离层厚度对InP基RTD器件I-V特性的影响。模拟结果表明,采用富In组份的势阱有利于降低峰值电压,提高发射区掺杂浓度有利于增大峰值电流密度,而散射则会导致谷值电流增大,影响其负阻特性。     

60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45～65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功耗96mW.在增益、带宽和功耗上达到国际现有产品指标.该芯片可被应用于60GHz宽带无线通信系统.     

基于相位噪声分析的交通信息采集雷达设计

为了满足智能交通领域(ITS)信息采集需要,该文设计了一种K波段双模式交通信息采集雷达,其两个工作模式为调频连续波(FMCW)和单频连续波(CW)模式。由于对压控振荡器(VCO)直接作为CW测速雷达的振荡源的研究较少,所以该文对在单频连续波(CW)模式下VCO的相位噪声以及雷达作用距离对测速误差的影响进行分析。此外该文还通过测速对比实验,得出在短距离应用条件下,虽然以MMIC VCO为振荡源的双模雷达的测速精度不如以低相位噪声锁相环振荡器(PLL)为振荡源的单一CW雷达,但两者相差很小。通过分析和实验可以得出,相位噪声对速度误差的影响会随着作用距离的缩短而减小。该双模雷达工作在CW模式并进行短距离测速时,能满足一般民用交通雷达测速精度的要求。     

GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析

本文分析用于ＧａＡｓ ＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数,Ｓ参数之间的关系,重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸。     

GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型

提出了一种ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型．分析了ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ漏极电流与两个控制栅偏置电压之间的关系,给出了漏极电流表达式．通过提取适当的模型参数,其直流输出特性的模拟曲线与实测曲线基本吻合,说明文中提出的ＧａＡｓ双栅ＭＥＳＦＥＴ的ＰＳＰＩＣＥ直流模型是有效的．     

导电炭黑的发展现状和行业研究

随着我国汽车工业、航空、航天工业和各类生产型企业的发展,我国经济发展呈现出前所未有的发展机遇,炭黑工业作为配套产业也得到相应的发展,炭黑材料的功能应用也随着性能要求的变化呈现出多样化趋势,同时伴随着其应用领域的不断拓宽。因此越来越多的科研工作者投身入炭黑材料的功能开发中。本文以导电炭黑市场的发展为切入点,剖析目前国内导电炭黑市场的现状和未来趋势,并对炭黑在导电领域的发展前景提供参考。     

不同材料上共面波导线的损耗研究

研究不同衬底材料上共面波导(CPW)线的损耗特性。实验结果表明,采用低阻SOI(20Ω·cm)作衬底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅(20Ω·cm)上制作的有明显减少;而采用低阻硅,并沉积1μmSiO2作衬底的CPW线损耗大大降低。采用高阻SOI(1000Ω·cm)制备的CPW线在2GHz损耗仅为0.13dB/mm;通过在低阻硅上采用地屏蔽技术也可以有效地改善传输线的损耗特性,在整个频段内的损耗可与高阻SOI硅衬底上相比拟。