紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器

给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21～28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.     

基于标准的区域协同医疗信息系统

医疗行业信息化和人民的医疗保健水平息息相关,目前国内医疗行业信息化现状却不容乐观,主要问题集中在就诊者的医疗信息无法互通、医疗资源无法共享、行业内系统异构情况严重、业内标准没有充分引入等方面。提出了一个基于标准、符合国情、可操作性强的区域协同医疗平台构架,为国内类似研究起到了一定的示范性作用。     

缺陷接地结构在RF和微波电路中的最新应用

本文介绍了微波电路中一种新颖的接地板——缺陷接地结构(defected ground structure,DGS),并总结了DGS结构提出近5年来,其在微波电路中应用状况的最新进展。还介绍了我们在DGS结构研究和应用中取得的成果。最后,展望DGS结构在无线通信系统中应用前景。     

一种硅埋置型系统级封装中集成毫米波无源器件工艺

本文研究了一种基于低阻硅埋置腔体和BCB/Au金属布线的系统级封装技术,改进了介质层BCB在有腔体硅衬底上的第一次旋涂工艺。利用25um厚的BCB介质层,在低阻硅衬底上设计、制作了微带传输线(MSL)、接地共面波导线(CPWG),测试发现具有理想的传输性能:标准50欧姆微带传输线,在20-30GHz频带内插入损耗小于0.08dB/mm,回波损耗大于32dB/mm。在此基础上基于薄膜微带线结构设计、制作了一种应用于K波段雷达前端系统集成功分器,面积约为1.6×0.84mm~2,插入损耗小于0.45dB,端口回波损耗大于25dB。     

竹叶椒片对大肠杆菌所致大鼠慢性盆腔炎的治疗作用

目的: 研究竹叶椒片对大肠杆菌所致大鼠慢性盆腔炎的治疗作用。方法: 采用大肠杆菌O-B₄ 标准菌株的菌液注入大鼠子宫内, 制备大鼠慢性盆腔炎动物模型。大鼠分6 组:假手术组、模型组、竹叶椒大、中、小剂量组和妇科千金片组, 分别给予相应药物, 每天ig 2 次, 连续21 d 。然后测定大鼠免疫功能并进行大鼠子宫组织形态学观察。结果: 给药组大鼠血清凝集素效价显著升高, 淋巴细胞转化指数也明显提高, 组织形态学观察发现给药组大鼠慢性盆腔炎病理改变明显减轻。结论: 竹叶椒片对大肠杆菌所致大鼠慢性盆腔炎有明显治疗作用。     

微波单片负阻有源压控滤波器设计方法和实验研究

本文给出了一种利用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ负阻特性实现的微波单片有源滤波电路，并考虑到ＭＭＩＣ工艺兼容性，提出了一种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ变容管结构，从而实现了滤波器的压控功能。     

基于倒扣技术的Ka波段环形混频器

给出了一种应用在毫米波前端的单平衡环形混频器。该混频器采用高介电常数的复合材料(R ogersDuro id3010,rε=10.2),以获得较小的芯片面积;电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗,并给出了一种新的混合环的分析方法。当本振在36.5 GH z有9 dBm的功率输入时,混频器有7 dB的变频损耗,双边带噪声系数11.5 dB,本振到中频和射频到中频分别有40.5 dB和31 dB的隔离度。     

失效锂离子电池资源化利用

失效锂离子电池含有大量钴,铜．锂等有价金属和六氟磷酸锂等有毒有害物质,属于典型的危险固体废物,其资源化利用与无害他处理已成为国内外关注的热点。     

Ka 波段主动成像宽带收发前端的研制

以毫米波成像应用为背景,研制了一种用于Ka波段主动成像系统的宽带收发前端。采用结构紧凑的自差式结构,降低系统成本并使其具有较高的可靠性;分析影响成像系统的动态范围和分辨率的因素,选择并设计宽频带毫米波源、低插损带通滤波器和平面缝隙天线等关键电路,使前端具有足够的输出功率和良好的杂散抑制,在31～36GHz的频带内,收发前端的输出功率大于10.4dBm,杂散抑制大于25dBc。对金属目标的成像实验结果表明,前端的方位向和距离向的分辨能力小于8cm,初步满足了主动成像的要求。     

GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究

对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。