锂资源提取技术研究进展

锂被认为是21世纪最重要的能源金属之一，在全球减碳的共同目标下，新能源产业快速发展，推动过去3 a锂消费量的持续增长，引发国内外对提锂技术的研究热潮。根据锂资源的赋存状态，对矿石提锂及卤水提锂技术进行综述，系统性地总结对比了各种方法的优缺点。从矿石中提取锂的方法主要有石灰石烧结法、硫酸法、硫酸盐法、压煮法、氯化焙烧法、直接酸浸法；卤水提锂中受到广泛关注的技术主要有沉淀法、吸附法、溶剂萃取法、膜分离法、电化学法。由于碳酸锂价格高位回落，国际锂盐获取形势愈加严峻，因此不断开发并完善提锂技术，增强中国的锂资源自供自给能力，实现提锂技术的降本增效势在必行。     

一种稳定化光纤光源新型电路的设计

文章介绍了一种稳定化激光源的电路设计,详细阐述了电路设计的工作原理及实验调试结果。在激光源的实际工作温度范围内,其光功率输出值仅仅变化0.2dB。而且在某一固定的温度下,其输出值的精度为0.1dB。     

告成煤矿13131工作面超前疏放顶板水实践

根据掘进工作面出水点分布特征,有针对性地超前布置探水钻孔,对顶板砂岩水进行疏放,为工作面安全回采创造了有利条件。     

过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究

用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)～10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。     

激光在半导体工艺中的应用

各种光源在半导体工艺的发展中一直起着重要的作用。如光刻、检验等许多关键工艺都需要一定的特定光源。与常规光源相比,激光具有相干性好、方向性强、亮度高等特点,因而在许多半导体工艺过程中得到广泛应用。许多新型的激光加工工艺为半导体技术的发展开辟了广阔的前景。激光用于半导体工业已经超过十年,早期的应用包括如激光划片、在陶瓷基片上打孔、双频激光精密定位、厚、薄膜电阻的激光微调等。其中激光微调仍是目前应用得最为普遍与成功的一种。     

楔环连接结构密封的试验研究

针对一种无人水下航行器镁合金圆筒舱段楔环连接和密封结构,分析比较其连接处O形密封圈材料及密封圈表面润滑脂的选择,并通过密封性试验和相容性试验,考察选定的橡胶密封圈的密封性能及选定的润滑脂与橡胶密封圈的相容性。结果表明,三元乙丙橡胶密封圈对该楔环连接结构连接处的气密效果最好,而7608液压系统合成润滑脂与三元乙丙橡胶密封圈相容性优良。     

电流、电位时域谱在绝缘介质介电特性表征中的应用研究综述

随着人类社会对电力系统安全性与稳定性需求的不断提高，以及近年来我国能源、国防等领域的飞速发展和进步，提高绝缘介质以及新型电工材料的介电性能和绝缘可靠性的需求也在与日俱增。准确评估绝缘的介电性能和老化状态是保障绝缘结构长期稳定运行的前提，同时对新型电工材料的研发也具有一定的指导意义。该文综述了时域介电谱中的电流时域谱和电位时域谱在绝缘介质介电特性表征和绝缘状态诊断中的应用，详细阐述极化去极化电流谱、等温松弛电流谱、热刺激电流谱和交流时域谱以及表面电位衰减谱和回复电压谱的基本测量原理和分析方法，指出当前时域介电谱在应用中存在的局限性，并展望多种测试技术的联合应用将是实现对电介质介电特性全面表征的有效途径。     

As（V）-Fe（II）体系臭葱石固砷研究

研究了在As（V）-Fe（II）体系中将废水中的砷转化为臭葱石的模拟过程。考察了As（III）氧化为As（V）中双氧水过量系数、氧化时间、氧化温度对氧化率的影响，以及臭葱石沉砷实验中Fe（II）氧化方式、初始pH、 Fe/As摩尔比对沉砷效果的影响。结果表明：适当提高双氧水过量系数、氧化时间和氧化温度，均有利于提高As（III）的氧化率；臭葱石沉砷实验中加快Fe（II）氧化有利于臭葱石晶体的生长，可以提高沉砷率和臭葱石质量；适当提高初始pH和Fe/As摩尔比有利于提高沉砷率，虽然臭葱石结晶质量有所降低，但臭葱石毒性仍较低。在双氧水过量系数为1.5、氧化时间为1 h、氧化温度为45 ℃条件下，以60 mL/h的速率滴加0.3%H2O2溶液氧化Fe（II），当初始pH为2.0、 Fe/As摩尔比为1.5时， As（III）平均氧化率可达97.67%，平均沉砷率高达95.57%，臭葱石稳定性高，浸出毒性平均为1.00 mg/L。