高岭石/聚丙烯腈复合物原位合成SiC_w/Al_2O_3复相陶瓷粉体

在高岭石/二甲基亚砜插层复合物基础上,以醋酸铵对二甲基亚砜进行置换,进一步扩大了高岭石的层间距,使得丙烯腈单体得以顺利插入高岭石层间,并通过原位聚合的方法获得了高岭石/聚丙烯腈复合物。以该复合物为原料,在1 400℃合成碳化硅晶须/氧化铝复相陶瓷粉体,其中碳化硅晶须的直径≤200nm,长度≥15μm。     

着眼课堂教学转型,培养创新型学员

课堂教学是学生获取知识的最直接也是最有效的方式之一。传统的课堂教学主要是传授知识,属于"知识型教学"。"知识型教学"只适宜传授知识,而不适宜培养能力。培养创新型人才,必须变"知识型教学"为"智慧型教学"。"智慧型教学"所追求的是在课堂教学中,真正意义上地实现教员的主导作用,和学员的主体地位。     

水化法制备氢氧化镁干粉

以轻烧氧化镁为原料,采用水化法制备灭火剂用氢氧化镁干粉。用滴定分析法测定产品纯度,考察了搅拌速率、水浴温度和反应时间对氢氧化镁转化率的影响。随着搅拌速率加快、反应温度升高、反应时间延长,转化率明显提高。在搅拌速率900 r/min、温度90℃、反应时间8 h的条件下,转化率可达到81%。产物晶型较好,形貌为明显的片状结构,产品的粒度、纯度达到干粉灭火剂国家标准的要求。     

Ce4+及La3+掺杂对(Bi0.5Na0.5) Ba0.06TiO3 陶瓷压电性能的影响

采用固相法制备工艺制备了质量分数CeO2(0-0.6%)和La2O3(0-1.3%)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3(BNBT6)无铅压电陶瓷.研究了合成产物的晶体结构、压电性能以及压电常数温度稳定系数.结果表明:所有组成均呈三方结构的钙钛矿型固溶体特征;当CeO2掺杂量为质量分数0.4%、La2O3掺杂量为质量分数1.0%时,陶瓷具有较好的压电性能,与纯BNBT6相比,分别提高了12%和15%;2种掺杂离子均能够改善陶瓷材料压电性能的温度稳定性.     

一种新的激光陀螺捷联惯导系统的误差参数标定方法

为了提高激光陀螺捷联惯性导航系统的导航精度，对惯性器件误差进行了原理上的分析和说明，并针对由国内某型激光陀螺构成的惯性测量器件进行了误差分析。在此基础上建立了精确的误差模型，并采用多位置标定法标定出了加速度计的误差系数，采用分立标定法标定出了陀螺的误差系数。     

热处理对搅拌摩擦原位TiB2/7075复合材料组织和性能的影响

对原位自生TiB₂/7075复合材料进行了搅拌摩擦加工,并对加工后的材料进行了不同方式的热处理。使用电子背散射衍射 EDS元素扫描分析和室温拉伸测试等方法对经过不同热处理方式的复合材料进行了研究。研究结果表明,在搅拌摩擦加工后对材料进行强化T6处理,即延长固溶时间,可以明显提高复合材料的力学性能。相比于搅拌摩擦加工后未经任何热处理的TiB₂/7075复合材料,强化T6处理后的复合材料强度提高了148 MPa,塑性提高了1.2倍。对强化T6处理后复合材料力学性能提高的原因进行了讨论。     

电沉积方法制备纳米晶Ni-W合金工艺研究

为了进一步优化镀液成分和工艺参数,为制备W含量可在较大范围内变化的块状纳米晶Ni-W合金提供依据,采用不含任何氨根离子(NH-+4)的镀液通过电沉积方法制备纳米晶Ni-W合金镀层.采用XRD、SEM和EDS对镀层的结构、形貌和成分进行观察和分析.结果表明:电沉积过程中电流密度、电源类型、pH值及搅拌方式对镀层的W含量都会产生较大的影响.试验中所得到的Ni-W合金镀层的W含量为2.15%~30.31%(质量分数),其结构均为W溶于Ni晶格所形成的置换式固溶体,平均晶粒尺寸为14~19nm;随着镀层中W含量的增加,镀层的显微硬度也随之逐渐提高.     

石英块体表面制备氮化硅层的研究

高纯Si粉或Si3N4粉为反应原料,分别以SiO2粉、MgO粉、CaO粉,或者自制玻璃粉为粘结剂,按不同质量百分比与PVA饱和溶液混合,分层涂抹在石英块体表面.在N2气氛中,于1500℃高温氮化烧结180 min,在石英块体表面制备氮化硅层.XRD与EDS图谱的分析结果表明,以SiO2粉、MgO粉、CaO粉为粘结剂,产物层物相为氮化硅或氧氮化硅,产物层致密且有一定厚度和强度,但是产物层和石英块体的结合性差;以自制玻璃粉为粘结剂的实验结果表明:产物层主要物相为氮化硅,产物层有一定厚度和强度,而且与石英块体的结合性较好.     

车规标准AEC-Q100在高可靠领域的适用性研究

本文首先介绍了车规电子标准AEC-Q100的详细内容,并对车规电子具有灵活性、高可靠的特点进行了详细的解读;其次,研究了AEC-Q100与军用、宇航用标准在质量保证要求、试验内容上的区别与联系,并进行了详细比对与分析;最后,给出了AEC-Q100在高可靠领域的适用性研究结论,并提出后续建议及重点研究方向。该研究对我国高可靠领域元器件向低成本、高可靠方向发展具有一定的借鉴意义。