可膨胀石墨及其制品的应用及发展趋势

本文系统地介绍了可膨胀石墨及其制品的特殊性能（包括物理性能和化学性能），总结了可膨胀石墨及其制品在多种领域的应用，指出了该行业当前存在的问题及发展趋势。     

典型MEMS和可穿戴传感技术的新发展(续)

2可穿戴传感技术带动MEMS集成技术进一步发展的重要的应用技术是可穿戴传感技术。由各类MEMS传感器和处理电路集成在一起形成可穿戴传感器件,它们通常被戴在手腕、上臂、胸部和头部,用来测量佩戴者的运动位置(GPS)、皮肤温度、皮肤电导等,然后使用这些数据来估计热量燃烧、距离和旅行路线以及睡眠效率等。佩戴者通常从他们的可穿戴器件中将数据上传到网站,保存、分析并显示出来,     

微机械圆盘谐振器的仿真分析及等效电路

通过对径向振动圆盘的机械振动方程进行分析,将机械振动的分散参数集总化,提取出机械集总参量并通过机电类比的方法将集总化的机械参量类比成电参量,建立起径向振动微机械谐振器的电参数模型。利用ANSYS软件对径向振动盘式微机械谐振器进行模拟,提取出谐振频率和振动位移,并以此为基础计算出等效质量及阻尼和刚度的数值,进而通过机电耦合系数求出电参数值。以所提取的电参数为依据,分析了谐振器的结构对谐振器的等效阻抗的影响。谐振器的等效电路及分析结果将成为后续结构和驱动电路设计的出发点。     

三维晶体管和后CMOS器件的进展

2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22 nm时,三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流,标志纳电子学的发展由应力Si时代进入三维晶体管时代。介绍了多栅晶体管的发展过程,包括双栅、鳍栅、Pi型栅、Ω型栅、三栅和环形栅等FET关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善。同时,还介绍了后CMOS器件的新进展,包含InGaAs n沟道鳍栅FET、环栅纳米线FET、Ge n/p沟道鳍栅FET、碳纳米管FET、石墨烯FET、隧穿FET、单电子晶体管和自旋电子学等,以及后CMOS器件的评定和终结CMOS器件模型。     

冰箱材料国产化又有新品—JD-44-2铝箔压敏胶粘带

由上海橡胶制品研究所研制的JD-44-2工业用铝箔胶粘带,是一种在铝箔上涂以橡胶型压敏胶粘剂的带状粘接材料,具有胶粘力强,老化性能优异及良好的施工性能。冰箱内藏式冷凝器是用铝箔压敏胶粘带将     

一个DC-32GHz两位微机械移相器

采用分布式微机械传输线结构实现了两位移相器,并且为了减小传输线负载电容和驱动电压首次提出了用共面波导传输线来驱动微机械桥的结构(共面波导驱动结构).结果显示驱动电压小于20V,20GHz时两位移相器的相移为0°/20.1°/41.9°/68.2°,插入损耗为-1.2dB.在DC到32GHz的范围内相移具有良好的线性,插入损耗小于-1.8dB,反射损耗好于-11dB.实验结果表明了该结构在高介电常数衬底上制造低插损、宽带数字微机械射频移相器的潜力.     

电冰箱材料国产化新品种——JD-44-1铝箔压敏胶粘带

由上海橡胶制品研究所研制的JD-44-1工业用铝箔胶粘带是一种在铝箔上涂以配有交联剂的橡胶型压敏胶粘剂的带状粘接材料,具有优良的胶粘力,良好的耐老化性能。JD-44-1胶粘带用于电冰箱蒸发器中铜管粘贴,冷凝管到外箱边缘的传导作用,及造船     

在半绝缘SiC衬底上制备的S波段2W碳化硅MESFET

介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.     

防焰胶管

由上海橡胶制品研究所研制并已鉴定了的防焰胶管,是以合成橡胶为基材,辅以补强剂、阻燃体系混炼加工制成的。防焰胶管能在高温高速燃气流的热环境条件下,快速氧化交联形成坚硬的碳化层,起到了耐烧蚀隔高温作用。