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工业技术 | 120篇 |
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1994年 | 1篇 |
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1980年 | 1篇 |
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这是一篇68米~2断面的大峒室的施工总结。介绍了施工方案的比较,掘进和锚喷支护施工顺序和施工方法,也指出施工应注意的一些问题。 相似文献
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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c平面上外延生长的Mgx Zn1 - x O单晶薄膜以及Mg Zn O/Zn O异质结构的光学性质.室温下随着Mg浓度增加,合金薄膜样品的发光峰与吸收边均向高能侧移动.研究了样品紫外发光的起因,将Mgx Zn1 - x O合金薄膜的发光归结为束缚激子的复合.在Mg0 .0 8Zn0 .92 O/ Zn O样品中,观察到了分别来自于Zn O层和Mg Zn O盖层的发光和吸收,并将其归因于来自Zn O层的自由激子和Mg Zn O盖层的束缚激子发射 相似文献
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在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上。用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见,在1520nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光(PL)谱未见发光。可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好。是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法。 相似文献
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在核级高效过滤器钠焰效率试验中,使用自制的稀释装置和研制的钠焰光度计,试验测量了NaCl浓度在4 ng/m3~13 mg/m3范围内,气溶胶燃烧光强与浓度之间的关系,然后用最小二乘法对测量值进行曲线拟合。研究结果表明:低浓度区,光电流与NaCl浓度间为线性关系,光谱的自吸收系数为1;中、高浓度区,光电流与NaCl浓度间不再符合线性关系,光谱的自吸收系数随浓度的增加而减小。研究结果要求:在高效过滤器效率测量时,如果使用国标的效率计算公式,须保证NaCl的原始浓度低于0.05 mg/m3;如果原始浓度高于0.05 mg/m3,则需使用实际标定的光电流与NaCl浓度间的关系曲线来代替国标的效率计算公式。 相似文献
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张振中 《长沙通信职业技术学院学报》2011,10(1):10-14
结构化综合布线系统是一种模块化的、灵活性极高的建筑物内或建筑群之间的信息传输通道,是现代化智能建筑的必然要求.文章介绍了结构化综合布线系统的测试,包括电缆和光纤系统的测试内容、测试标准、测试模型、测试方法及测试仪器的选用. 相似文献
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