液压启闭机同步控制技术的研究与探讨

一、概述 为适应液压启闭机中液压油缸行程检测和控制的需要。自上世纪90年代中、后期，我国开始在部分水利工程项目上引进国外的CIMS（与陶瓷结合的测量系统）技术。但经过一段时间的使用暴露出一些问题，主要是油缸的密封圈容易损坏。分析表明，油缸的活塞杆采用陶瓷涂层后，在提高抗腐蚀能力的同时，降低了它的润滑性能。因此，在油缸做往复运动时，活塞杆与缸盖之间的密封件很容易磨损，导致密封件失效。     

组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响

利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。     

宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计

基于0.18 μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法.采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28 A,等效于人体模型5.6 kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等效于人体模型500 V.通过仿真,分析了ESD二极管的电阻、电容特性,给出了其在LNA正常工作情况下的等效电路;结合LNA电路仿真结果,比较了二极管寄生效应对LNA阻抗匹配、增益、噪声系数和线性度等指标的影响,验证了等效电路的正确性.     

江苏省电力公司生产技能培训中心变电仿真培训基地

江苏省电力公司生产技能培训中心变电仿真培训基地(以下简称"基地")坐落在美丽的苏州。基地始终以"培养技能人才,服务电力企业"为宗旨,以"培训带动开发、开发促进培训"为理念,大力开展基地建设工作,积极投身技能人才培养事业,基地综合竞争能力和服务人才强企战略能力不断增强,先后获得"全国电力行业变电仿真培训基地"资质、国家电网公司"高技能人才培训基地电     

2.4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计

设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好的ESD防护综合性能。对于电源口的ESD防护,主要研究了不同触发方式的ESD保护结构,结果表明,RCMOS触发SCR结构(RCMOS-SCR)具有良好的ESD鲁棒性和开启速度。基于上述结构的全芯片ESD保护设计,RF I/O口采用岛屿状布局的互补SCR结构的ESD防护设计,该ESD防护电路引入0.16dB的噪声系数和176fF的寄生电容,在人体模型(HBM)下防护能力可达6kV;电源口采用了RCMOS-SCR,实现了5kV HBM的ESD保护能力,该设计方案已经在有关企业得到应用。     

应用于音频芯片的高精度ΣΔ调制器设计

低阶单比特量化ΣΔ调制器简单稳定且特别适用于音频领域的模数转换器。提出了一款应用于音频芯片的二阶单比特量化ΣΔ调制器,利用Simulink对调制器进行建模并确定调制器参数与电路子模块指标。该调制器电路采用CSMC0.35μmCMOS工艺实现,工作的电源电压为5V,采用全差分开关电容技术,功耗为12mW,核心面积为390μm×190μm。在采样频率为12MHz、输入信号频率为20kHz时,调制器精度达到16bit,测试结果验证了设计技术和建模方法。     

2-1-1级联连续时间型ΣΔ调制器系统设计

高阶连续时间型ΣΔ调制器提供了一种有效的获得高分辨率、低功耗模数转换器的方法.提出了一种新型的2-1-1级联的连续时间型ΣΔ调制器结构.采用冲激不变法将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,利用Simulink对该调制器进行系统级建模和仿真,峰值信噪比达到105dB.分析了电路的非理想因素对调制器行为的影响,以获得90dB信噪比为目标确定了电路子模块指标.仿真结果表明,该结构能有效降低系统功耗,并验证了电路的可行性.     

基于VLC的无线导览系统的设计和实现

提出了一种基于可见光通信技术的新型无线导览系统。在需要安装导览系统的地方对LED照明系统进行合适的改造,使LED发射带有识别码的可见光。当带有光电二极管的终端进入光照范围时,直接接受识别码,并经过跨阻放大器、滤波电路、电平判决器等电路处理后生成数字信号发送给后级微处理器,再通过解码、识别码比对等处理实现目标定位和无线导览的功能。利用FPGA开发套件及可见光发射机、接收机搭建了一个采用Manchester编解码和OOK调制方式的最简无线导览系统,并通过测试验证了系统的可行性。     

纵向NPN管ESD保护结构的设计与分析

针对一种5V0.6μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构。为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD结构,利用NPN管集电极与基极之间的寄生电容和二极管作为电容耦合元件。流片及测试结果表明,该保护结构的触发电压得到有效降低,且抗ESD能力超过4kV的人体模型。     

添加Ni对Mg65Cu25Tb10非晶合金的影响

利用常规的金属型喷铸法制备出不同直径的Mg65Cu25-xNixTb10(x=0~10.0)非晶合金.利用X射线衍射、差热分析、准静态压缩试验和扫描电镜,分析了添加Ni元素对Mg-Cu-Tb非晶合金形成能力及力学性能的影响.结果表明,Ni的加入降低了Mg-Cu-Tb-Ni合金的非晶形成能力与热稳定性,但适量的Ni可以显著提高合金的断裂强度,其中Mg65Cu20Ni5Tb10的断裂强度达到了943 MPa,远高于原始的Mg65Cu25Tb10三元非晶合金.