首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   29篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
工业技术   31篇
  2021年   1篇
  2018年   1篇
  2015年   3篇
  2013年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   3篇
  2005年   4篇
  2003年   3篇
  1999年   1篇
  1995年   1篇
  1993年   2篇
  1992年   2篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有31条查询结果,搜索用时 281 毫秒
31.
一、前言目前,国内外用直拉法(CZ法)生长硅单晶时均以石英做坩埚,由于石英在融硅中可被腐蚀,则引起氧和其它杂质对融硅的沾污。为了提高硅单晶的纯度、降低硅单晶的补偿度,所以石英在融硅中溶解特性的研究引起了国内外广泛重视。尽管在阿部敏雄等人的工作中曾指出过不同厂家出产的石英在融硅中腐蚀速度不同,但尚缺少不同石英料在熔硅中腐蚀速度的数据。为了进一步研究石英坩埚  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号