氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理

为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺.     

MEMS神经元微探针研究

制作了一种神经元多电极微探针,采用阻抗分析仪对微探针进行了表征,测量了该探针单个电极在生理盐水中100～1 kHz范围内的交流阻抗.1 kHz工作频率下,探针的交流电阻和交流容抗分别为100 kΩ和10 kΩ,时漂小于1%.作为微探针的初步应用,测量了两个电极之间在不同浓度的NaCl溶液中的交流阻抗.结果表明该探针基本符合神经元探针的要求,为下一步进行生物实验奠定基础.     

片上集成三电极体系微电极阵列的表征

设计制作了片上集成三电极体系微电极阵列。工作电极分为圆形和方形两种,电极特征尺寸为100~900μm,工作电极与对电极间距为50~200μm。利用循环伏安法,在氧化还原电位探针二茂铁甲醇的作用下,对各三电极微系统进行了电极性能表征,具体分析了工作电极的形状、大小、与对电极的间距对输出特性的影响,为片上集成三电极体系的微电极阵列的设计优化提供了实际依据。     

直流偏置对PZT微传感器的谐振频率的影响

在直流偏置电压对PZT压电微悬臂梁谐振频率的影响研究中,建立了理论方程,并通过激光干涉测试实验对所建方程进行了验证。理论方程和实验均表明:直流偏置电压对PZT微悬臂梁的谐振基频的影响是二阶函数。在直流偏置电场小于1×107 V/m时,直流偏置电压和谐振基频存在线性变化区。此结论可以用于改善谐振式PZT微悬臂梁传感器的信号检测系统,即利用扫描直流偏置电压取代频谱分析。     

高灵敏度谐振式红外光声气体传感器研究

研究了高灵敏度谐振式红外光声气体传感系统,对系统的谐振频谱进行了测试分析,观察到了新的谐振模式。经过对比,发现选用新的谐振模式具有更高的测试灵敏度和信噪比,新的谐振模式源于两边的缓冲腔体内的谐振。研究了麦克风输出腔体结构对信号的影响,发现增加输出腔内麦克风到谐振腔的距离可显著增加光声信号。另外,在激光岀射端口放置反射金属膜也有利于提高光声信号,从而提高系统检测极限。     

基于Silicate-1型分子筛修饰的QCM类神经毒气传感器

主要研究Silicate-1型纳米分子筛对类神经毒气有机气体甲基磷酸二甲酯(DMMP)的敏感特性,并结合高灵敏度的石英谐振天平(QCM)研制了DMMP气体传感器.采用Silicate-1型纳米分子筛作为敏感膜材料分别对不同浓度的DMMP气体进行检测.QCM传感器随着气体浓度的增加,响应时间增加,气体吸附量增加;当DMM...     

SOIMOSFET二维数值模拟器的设计

介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用,精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。     

O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入,用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ,比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷,包括未转移区和气泡等,这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺,提高键合质量,可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．     

背面多孔硅对SIMOX中铜杂质的吸除作用

在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂质能穿过理层SiO2并在背面多孔硅处富集。用剖面投射电子显微镜（XTEM）分析了埋层SiO2和背面多孔硅层的微观结构,背面多孔硅层及其多孔硅层同硅衬底之间“树技状”的过渡区被认为是铜杂质有效的吸除中心。     

采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究

本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技术对多孔氧化硅超薄ＳＯＩ结构进行了分析，结果表明其顶层硅膜单晶性好，硅膜和埋层氧化层界面平整．实验表明硅岛的台阶形貌及应力状况取决于阳极化反应条件．在硅膜厚约为８０ｎｍ的ＴＦＳＯＩ材料上制备了ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ，输出特性良好．