液晶显示器帝国的疆土在扩大中 最近的技术进展使平板显示器可以在更广阔的领域里取代CRT

液晶显示器(LCD)是今天和可预见的未来中的最主要平板显示器(FPD).在笔记本计算机市场需求的驱动下,薄膜晶体管(TFT)和超扭     

电视转播车设计理论与方法探讨

本文用自然辩证法的理论系统地介绍了电视转播车设计的理论与方法，其中分析了转播车设计的主要特征．特点和分类。以及设计中用到的传统与现代的设计方法。     

X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

<正>AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路(MMIC)两种结构形式,功率MMIC尽管其研制成本相对较高,但功率MMIC可实现宽带匹配,同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多,是满足诸如X     

割草机飞甩物危险性试验

简述了割草机飞甩物危险性试验的测试装置、试验准备、测试过程以及试验结果评定,对割草机飞甩物危险性试验作了深入浅出的介绍。     

智能手机带来的3G网络负荷分析

智能手机对电信3G网络负荷的影响,尤其是对校园类用户密集区域的冲击。     

计算机技术发展迅速的原因分析

随着社会的快速发展,信息技术水平也在持续的的提高,计算机应用技术得到了极大地发展与进步,正是各行各业对计算机应用更加的广泛,这才促进了计算机技术的迅速发展与进步,并且这对提高经济效益发挥了重要的作用,并产生了积极的影响.     

SiC MESFET高温工作寿命研究

对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500h后,饱和电流下降幅度超过了29％,器件均发生失效.分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散使欧姆接触性能下降.改进工艺采用WTi作为扩散阻挡层后,扩散...     

单通道8bit1.4GS/s折叠内插ADC

基于0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC.芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准.测试结果表明,ADC在1.4GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW.文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出...     

图像多通道边缘信息辅助的快速立体匹配算法

提出一种基于图像边缘及色彩信息辅助的立体匹配算法.首先给出一种彩色边缘侦测算子来获取彩色图像边缘信息,利用基于归一化相关系数的极线立体匹配得到视差图像边缘像素的视差信息.然后利用已获取彩色图像对的边缘信息对双步骤动态规划匹配策略进行匹配指导,获取稠密视差图并进一步优化.实验表明,提出的算法能很好地降低图像对中强度接近物体的误匹配概率的同时,有效提高匹配算法的运行效率.     

激光干涉光刻法制备二氧化硅光子晶体抗反射膜

为了研究制备二氧化硅(SiO2)光子晶体抗反射膜,采用激光干涉光刻法与电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备进行实验。激光干涉光刻法可实现灵活、快速制备大面积周期纳米结构,而ICP刻蚀具有良好的各向异性,扫描电子显微镜的图片(SEM)表明两种实验工艺制备的SiO2光子晶体形貌良好。通过自制的测量平台,实现测量不同入射角度的入射光对光子晶体的透过率,测量结果说明了光子晶体对1170nm的入射光有较好的增透效果。有效折射率可以解释光子晶体在响应波长处增透减反的成因。SiO2光子晶体的成功制备在工艺与理论上为以后应用于光电器件的抗反射膜提供了参考。