GaAs单晶技术的进展

<正> 一、材料特性、应用及要求从半导体工艺发展的初期开始,GaAs就已成为一种引人注目的材料了。它与Ge、Si等元素半导体材料相比具有许多优异的性能,如: (1)电子迁移率高。300K的电子迁移率约为8500cm~2/V·s(Ge:3900cm~2/V·s,Si:1500cm~2/V·s),故适合于制作高速高频器件。 (2)禁带宽度大。E_g=1.43eV(Ge:0.8eV,Si:1.12eV),故适于制作高温,大功率器件。     

单片集成In_(0.53)Ga_(0.47)As-PIN/InP-MISFET

<正> 日本 NEC 光电研究实验室最近报导,他们把 In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN 光电二极管和 InPMISFET 单片集成在掺 Fe 的半绝缘 InP 衬底上。在100Mbit/s NRZ 伪随机信号的情况下测量了     

结合一个实验项目进行实验考试的尝试

我院的电子技术基础课程是为工科本科管理类专业开设的,总学时为85～90.实验课在课程中占总学时的25%～30%.由于课程总学时数较少,无法安排大型综合性实验项目,只能安排一些结合典型电路的小型实验项目,因此,实验考试也只能结合典型电路来进行.下面介绍一下我们结合一个实验项目进行实验考试的做法和体会.     

LMC1982数字控制双选择输入立体声音量音调控制电路

1.概述 LMC1982是一种具有音量、平衡、高低音音调、立体声增强、响度控制和两路立体声输入选择的多功能单片集成电路这些功能均由三线通讯接口进行数字式控制,该芯片还有两路数字输入,易于与其它音频辅助设备如立体声解码器接口 LMC1982线性电平输入信号为(300mV-2V)其最大增益-0.5dB,电路芯片首次加电时音量在最小位置而音调控制在平坦曲线位置。 LMC1982信号通道采用模拟开关和多晶硅电阻网络,可获得低噪声和低失真的效果。附加的音调控制能够通过LMC1982的选择输出/选择输     

Wonderware软件在油田自动化管理系统中的应用

介绍了美国Wonderware公司的InTouch7．1，IndustrialSQL Server7．1，Suite Voyagerl．0软件在油田生产自动化监测和管理系统中的应用。     

适合于微波单片集成电路用的离子注入PBN LEC GaAs短暂的无盖层退火方法

在最近高阻半绝缘PBN LEC GaAs作为注入基质和稳定介质的可达性基础上,研制了一种离子注入GaAs的高温无盖层的活化方法。这种新的无盖层工艺,“短暂的无盖层退火”方法已经显示出很强的注入剂量活化作用(85％),同时具有很高的均匀性(±4.5％),在1.5×10~(17)cm~(-3)的情况下具有很陡(500(?)/十倍)的载流子浓度深度分布。在肖特基势垒表面耗尽层深度小于1000(?)时,由活化薄膜得到的霍尔测量结果给出室温下的电子迁移率为4500cm~2/V·s。用非连续注入~(29)Si~+的短暂的无盖层退火方法制造的S波段集成电路,在3.0～3.6GHz之间提供出20dB的增益和29dBm的输出功率。短暂无盖层退火的高生产率,批量加工的特点使这种工艺对于高成品率的GaAs集成电路生产来说具有工业上的吸引力。     

日本光电子半导体器件的市场趋势

<正> 一、概述 1985年开始的半导体工业的衰退,经过1986年,目前仍在继续,并且没有任何明显的复苏迹象。这是一种全球性的趋势,而且由于1985年9月G5会议开始出现的日元-美元兑换率的调整,使高度依赖于出口的日本半导体工业陷于重重困境。在大规模集成(LSI)贸易方面,尤其是在日本半导体工业所依赖的存储器方面,这种衰遐尤为明显。尽管分立器件(大部分光电子半导体器件被分类在分立器件中)也不例外,但是情况却有些不同,也就是说,在分立器件方面目前的衰退影响较少。那些对分立器件贸易进行过重     

液膜电渗析的应用

介绍了液膜电渗析的原理及应用，它包括浓缩提取化合物或元素，合成高纯物质及脱盐．由于它将化学反应、扩散过程和电迁移三者结合起来，因而有广阔的应用前景。     

液膜分离技术

介绍液膜概念、其组成和结构以及液膜分离的机理,研制步骤,有关用途和工艺的优缺点等。     

带分隔光限制层的InGaAsP/InP(1.3μm)隐埋新月型激光器

本文报导了通过在有源层的两边引入InGaAsP(λ=1.1μm)包层,使InGaAsP(λ=1.3μm)新月型激光器的性能得到显著改进的有关情况。以很好的重复性和很高的成品率生长的这些激光器,阈值电流为20～35mA,,在输出线性良好的情况下脉冲功率输出达到50mW,外量子效率为50～60％。这些器件能一直工作到90℃,输出功率为4mw。短电流脉冲激励表明:这些激光器适于Gbit/s工作。