高等职业教育要注重德育教育

本文分析了高等职业技术教育学生的思想状况,强调高职院校加强德育教育的重要性,提出增强德育教育有效性的主要途径,并指出强化德育教育应突出政治理论课的关键作用,采取多种方式提高教学实际效果,同时充分发挥政治思想工作、学生骨干力量在德育教育教育中的重要作用,并注重营造校园德育环境.     

基于PKI的嵌入式电子印章系统

介绍了基于PKI的嵌入式电子印章系统的设计、特点和应用方法。使用嵌入式电子印章系统,可以将原来在纸面上使用的实物印章或手写签名转化成在计算机环境下使用的电子印章或电子签名,且真实可靠、安全防伪,有效地解决各种电子文件的签字盖章问题。     

基于降压DC转换器的误差放大器的设计

结合Buck型DC-DC转换器的工作原理,从系统的稳定性和响应速度要求出发,提出一种高性能误差放大器及环路补偿方案。该误差放大器具有高的共模抑制CMRR和高的电源抑制比PSRR。电路结构采用CSMC 0.5μm BCD工艺,仿真结果表明,该误差放大器共模抑制比为106 dB,电源抑制比为129 dB,其性能良好,满足DC-DC转换器的系统需要。     

等保2.0背景下高校网站群系统应用研究

在信息安全形势严峻的背景下,等保2.0基本要求应运而生,本文阐述了等保2.0对高校网站信息安全建设的新要求,介绍了高校网站群系统的优势、关键技术和系统架构,说明了在高校网站中应用站群系统的安全防护策略和过程.     

一种新颖的双环路控制带隙基准电路

基于Widlar基准与Kuijk基准相结合的思想,独创性地提出了一种双环路控制的带隙基准源,加快了负载瞬态响应的速度,将负载瞬态响应时间有效控制在3 μs之内。为了减小功耗及简化零极点补偿网络,设计了一种单级高增益运放,并引入一种新的频率补偿方式,保证了基准环路的稳定性。为了克服Widlar基准固有的PSRR较低的缺点,设计了一种电压预调整结构,电源抑制比分别达到-92.5 dB@DC,-61 dB@1 MHz。     

克拉玛依大逆掩断裂带构造特征及找油领域

本文以纲要的形式,概括论述了车一夏大逆掩断裂带五个构造的特征及其形成机理;通过沿断裂带已探明的油气分布规律、断裂对九、十区油气藏的控制作用和地球化学研究成果等三方面论证了大逆掩断裂带对油气分布的控制作用;探讨了进一步在大逆掩断裂带的找油领城及油藏类型。     

某矿井瓦斯赋存特征与涌出量预测分析

为解决某矿井煤与瓦斯突出问题,通过地质钻探手段查明了开采煤层的顶底板岩性,并于矿井不同位置测定瓦斯含量及瓦斯压力,从煤层顶底板岩性及完整性、煤层厚度、倾角、埋深等方面分析了矿井瓦斯的赋存规律。将测定结果导入矿井瓦斯地质动态分析系统,形成瓦斯含量分布云图,更为直观地反映了揭露区及附近区域的瓦斯分布情况。研究发现:在煤层埋深、厚度、倾角及地质构造综合作用下,该矿瓦斯主要分布于矿井西侧及中部偏南侧,而北侧及东侧瓦斯含量相对较少。将矿井瓦斯相对涌出量分为掘进工作面瓦斯相对涌出量、回采工作面瓦斯相对涌出量以及采空区瓦斯相对相对涌出量,根据矿井实际开采情况,对矿井瓦斯的相对涌出量进行了预测,从而为矿井安全生产及煤与瓦斯突出灾害防治提供了参考依据。     

2012年度国家自然科学基金委员会化学科学部五处科学基金项目申请和评审工作综述

近年来,化学工程学科的发展日新月异,绿色化学、纳米技术和超级计算等新理论、新方法及新技术已渗透到化工学科研究的许多领域,正助推产生许多新的学科生长点。基础研究在化学工程的学科发展和工业生产历程中无疑扮演着十分重要的角色。作为基础研究的主要资助渠道,国家自然科学基金一直是广大科学家广泛关注的焦点。     

基于梳齿间距MEMS工艺误差的微传感器电容与静电力分布模型

在理论分析与模拟仿真基础上,提出了由于梳齿微细加工误差所引起的电容和静电力概率分布模型。该模型表明电容和静电力均为类高斯分布,它们在一定区段出现的可能性可根据其准期望和准方差确定,且该准期望与无加工误差情况相比均有小于5%的微小偏移;同时,该准方差依赖于梳齿数目和梳齿加工误差程度,当梳齿数目由10增大到60时,电容与静电力分布准方差分别增大约2倍和1倍,而当梳齿加工误差程度从5%增大到20%时,则分别增大约3.5倍和2.5倍。该模型可望为一大类梳齿结构微传感器或执行器性能偏差的理论研究和工艺实现提供参考。     

Properties of p-type ZnO thin films with different orientations

The stable properties of N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar （100） plane orientation relative to polar （002） plane orientation are investigated. The two kinds of oriented thin films are fabricated by the methods of post heat treatment and double sources in situ, respectively. The Hall investigations demonstrate that N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar （100） plane orientation are more stable, and the results are also proved by build-in electric field model and electronic structure calculations of the films based on the first orinciple.