乙酸长叶酯中试项目通过鉴定

由江西省科委及赣州地区科委下达、宁都县化工厂承担的“乙酸长叶酯中间试验”项目经两年的努力实施,已完成项目合同规定的各项经济技术指标。1992年10月23日赣州地区科委组织省内有关专家在宁都县化工厂主持召开了“乙酸长叶酯中间试验”项目鉴定会。与会专家听取了技术总结报告,考察了生产现场,查看了有关技术资料,一致认为:①提供的技术资料齐全、数据准确,可以指导生产。②选题准确,为综合利用重     

塑料封装球栅阵列器件焊点的可靠性

对比了充胶和未充胶塑料封装球栅阵列(PBGA)器件在-40 ℃～125 ℃温度循环条件下的热疲劳寿命,采用光学显微镜研究了失效样品焊点的失效机制,并分析了充胶提高器件热疲劳寿命的机制.实验发现底充胶可使PBGA样品的寿命从500周提高到2000周以上,失效样品裂纹最先萌生于最外侧焊球中近硅芯片界面外边缘处,界面处焊料组织粗化及界面脆性金属间化合物Ni3Sn2和NiSn3相的生成均促使裂纹沿该界面从焊球边缘向中心扩展.PBGA焊点界面处裂纹的萌生和扩展是该处应力应变集中、焊料组织粗化以及生成脆性金属间化合物等各种金属学和力学因素共同作用的结果.     

基于单芯片的数字对讲机基带系统设计

LPC4357是NXP公司推出的基于ARM Cortex-M4内核的MCU,本文介绍了基于该MCU的一种数字对讲机方案,阐述了芯片选型、关键部件设计以及基于FreeRTOS的软件设计方法。该方案具有低成本、低复杂度的优点,适合产业转型期的过渡方案。     

SnAgCu(SnPb)/Ni和SnAgCu(SnPb)/Cu界面金属间化合物在热冲击过程中的生长规律

通过对SnAgCu（SnPb）／Ni和SnAgCu（SnPb）／Cu界面热）中击过程中金属间化合物（Intermetallic compound，IMC）生长规律的研究，以期更好的了解SnAgCu无铅焊料与Ni或Cu金属化层的相互匹配。结果表明固溶在焊料中的Cu或者Ni影响热）中击过程中界面IMC的演化。采用NiAu镀层时，IMC的生长速率比HASL（Hot Air Solder Level）镀层慢，并且界面没有Kirkendall孔洞生成，所以有更好的长期可靠性。采用SnAgCu焊料时，界面Kirkendall孔洞较SnPb焊料少，界面IMC的生长速率较SnPb焊料慢。     

环境磁场的补偿与控制

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入.经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用.该模拟控制电路与数字电路方案相比,具有控制速度快、结构简单等特点.实验结果说明,该系统对环境磁场的低频扰动具有较好的补偿作用.     

沈阳第二附属医院地下停车场超长结构混凝土施工实践

本文介绍了180m长的地下停车场采用刚性防水,连续施工的做法。即掺UEA混凝土膨胀剂,外涂防水基,分四段施工,施工段之间设"后浇假缝",取消后浇带,加快了施工进度,获得了良好的防水效果。     

倒装焊Sn—Pb焊点的热疲劳失效

对倒装焊Sn-Pb焊点进行了热循环实验,结合三维全局有限元模拟的结果,研究了Sn-Pb焊点热疲劳失效,结果表明,充胶后焊点内塑性应变范围减小近一个数量级,从而显著降低焊点的疲劳损伤后,由于底充胶改变了Sn-Pb焊点应力、应变分布,使得充胶前后焊点裂纹位置发生改变,Sn-Pb焊点热疲劳裂纹萌生于粗化的富Sn相,并穿过富Pb相沿Sn相生长,Sn和Pb晶粒的非均匀粗化趋势与模拟给出的剪切应变轴向分布一致。     

倒扣芯片连接底充胶分层和焊点失效

在热循环疲劳加载条件下 ,使用 C- SAM高频超声显微镜测得了 B型和 D型两种倒扣芯片连接在焊点有无断裂时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,得到分层裂缝扩展速率 .同时在有限元模拟中使用断裂力学方法计算得到不同情况下的裂缝顶端附近的能量释放率 .最后由实验裂缝扩展速率和有限元模拟给出的能量释放率得到可作为倒扣芯片连接可靠性设计依据的 Paris半经验方程     

小型地下水空调系统设计应用得失

地下水冷暖空调是今后空调系统研究发展应用的新方向,它不光具有节能、环保、多用途等多种优点,而且设备结构简单,施工方便、工程造价低廉。