Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched In_(0.17)Al_(0.83)N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal organic chemical vapor deposition

We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an In0.17Al0.83N interlayer grown by pulsed metal–organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations(TDs) in GaN film with the InAlN interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy(TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InAlN interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InAlN interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InAlN interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InAlN interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy.     

解信赖域子问题的隐式分段折线算法

在Hessian矩阵正定的前提下,建立了一种最优曲线的微分方程模型.针对此微分方程模型,构造了一条隐式分段折线,从而提出了一种求解信赖域子问题的隐式分段折线算法,并且分析和证明了隐式分段折线路径的合理性.数值结果表明新算法是有效且可行的.     

以C60为媒介的网状金纳米粒子聚集体的构筑

通过全甲基化环糊精和卟啉之间的"Click"反应,合成了一种不对称环糊精修饰的卟啉衍生物,并对其结构进行了表征.该化合物与氯金酸作用可以形成平均粒径为5 nm的水溶性金纳米粒子,该金纳米粒子进一步与C60作用形成网状纳米聚集体,并通过紫外光谱和透射电子显微镜验证了聚集体的结构.     

基于色谱法的超螺旋质粒DNA纯化与分析进展

质粒DNA含有独立复制的遗传结构,是基因工程的常用工具,广泛应用于分子生物学基础研究、农业转基因检测、医疗诊断与基因治疗等领域。质粒DNA的构型一般分为超螺旋、开口环状及线性3种。初步纯化的质粒DNA溶液中常混有3种构型,并且掺杂一定量的蛋白质、RNA、内毒素以及宿主基因组DNA,这些杂质会影响后续的应用,因此质粒DNA需要进一步精细纯化。该文对质粒DNA的新应用领域、基于色谱的精细纯化技术及产物质量分析体系进行了综述,并展望了高纯度质粒DNA精细纯化及产物分析的发展方向。     

反相微乳液模板原位聚合制备纳米氯化银/聚甲基丙烯酸甲酯及其结构表征

用甲基丙烯酸甲酯 (MMA)作油相 ,反相胶束微乳液作为模板 ,制备了纳米氯化银 (AgCl)粒子 ,再进行原位聚合制备了纳米氯化银 /聚甲基丙烯酸甲酯 (AgCl/PMMA)复合材料 .透射电镜 (TEM )分析表明 ,纳米AgCl的尺寸为 2 0～ 80nm .扫描电镜 (SEM )测试表明纳米AgCl粒子均匀地存在于PMMA基材中 .红外分析证明 ,胶束中水和表面活性剂AOT的羰基在MMA聚合后微观环境发生变化 ,纳米粒子同聚合物之间有吸附行为 .动态力学 (DMTA)分析复合材料 ,发现纳米AgCl粒子与聚合物之间存在强烈相互作用 ,形成了中间相层 (interphaselayer) ,改变了聚合物的动态力学性能 .     

抢渡长江最佳路线的探讨

1　问题的提出2 0 0 2年 5月 1日 ,武汉市体委在长江武汉段举行了中国武汉国际抢渡长江挑战赛 .这次大赛 ,共有183名选手参赛 .但成功到达终点的仅有 34人 .其中大部分的人被冲到下游 ,这是什么原因呢 ?怎样设计省时的渡江方案呢 ?为此 ,我们研究性学习小组多次访问武汉体委的有关同志和男子组第一名宋济的父亲 ,还到渡江地点进行实地考察和测量 ,这为我们以后继续研究打下了基础 .2　分析与数学模型的建立1)简单的渡河问题分析 .在分析具体的渡江问题前 ,我们先讨论一下简单的渡河问题 .图 1　渡河问题分析用图如图 1,设人的速度为向量 ｖ…     

基于成熟度评估的武器装备体系集成性能试验方法研究

单装试验到体系试验需要架设集成试验这座桥梁,论文借鉴技术集成成熟度评估方法提出了集成成熟度试验的思路,并建立了基于集成成熟度试验评估的装备体系集成性能试验方法,实现了体系集成性能的试验与评价,并通过示例对所提出的方法进行了演示验证,证明了方法的可行性。     

地球等离子体模式及遥感成像技术

地球等离子体层的分布主要受到地球磁层的特性影响。早期对地球磁层的研究,主要是通过采集地磁平静期的观测数据,建立半经验模型和经验模型来研究。随着成像技术的发展,可以通过遥感成像的方式,在全球尺度下获得磁扰期、平静期等不同时刻的地球等离子层分布信息,从而更直观、全面地了解磁层磁场的变化。本文研究了现有的地球等离子体层模型,详细阐述了不同地球等离子层模型的描述形式、应用特性,以及地球等离子体层遥感成像观测的方法和手段。最后,通过计算机模拟了在经验地球等离子层模型输入情况下,极轨道卫星对地球等离子体层分布的成像结果。     

The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p-i-n solar cells

InGaN/GaN p-i-n solar cells, each with an undoped In0.12Ga0.88N absorption layer, are grown on c-plane sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition. The effects of the thickness and dislocation density of the absorp- tion layer on the collection efficiency of InGaN-based solar cells are analyzed, and the experimental results demonstrate that the thickness of the InGaN layer and the dislocation density significantly affect the performance. An optimized InGaN- based solar cell with a peak external quantum efficiency of 57% at a wavelength of 371 nm is reported. The full width at half maximum of the rocking curve of the （0002） InGaN layer is 180 arcsec.     

基于显式有限元方法的两相介质弹塑性动力反应计算分析

针对增量形式的流体饱和两相多孔介质弹塑性波动方程组,运用基于显式逐步积分格式的时域显式有限元方法对该波动方程组进行求解,并应用基于SMP破坏准则的弹塑性动力本构模型描述两相介质的动力反应性质,对两相介质在输入地震波作用下的弹塑性动力反应进行计算和分析,将计算结果与相应的弹性动力反应的计算结果进行对比;对本文应用的弹塑性...