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随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入, 学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections, HCI)所引起的可靠性问题日益关注. 本文研究了超短沟道长度(L=30–150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator, SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理. 研究结果表明, 在超短沟道情况下, HCI 应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻. 通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出, 该现象是由于随着沟道长度的减小, HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的. 此外, 本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(FinFET)中的结果相反. 因此, 在超短沟道情况下, SOI平面MOSFET器件有可能具有比FinFET器件更好的HCI可靠性. 相似文献
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高效液相色谱串联质谱法对大米中26种三嗪类除草剂多残留的检测 总被引:7,自引:0,他引:7
建立了同时检测大米中26种三嗪类除草剂残留量的高效液相色谱串联质谱分析方法.样品经乙腈提取、Oasis HLB固相萃取柱净化,液质联用仪测定.26种三嗪类除草剂在10~1 000 μg/L范围内线性良好,相关系数为0.997 3~0.999 9.在10~100 μg/kg范围内,平均加标回收率为74%~100%,相对标准偏差为2.1%~8.8%.该方法可同时满足进出口大米中多种三嗪类除草剂残留的检验需要. 相似文献
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Non-degenerate four wave mixing based on third-order susceptibility X^3 in high nonlinearity microstructure fibres is experimentally demonstrated. The Stokes and anti-Stokes peaks are observed simultaneously by launching 10-fs pulses from an 80Ohm Ti:sapphire laser into the fibre. 相似文献
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采用燃烧法制备出Li^+,Zn^2+掺杂的Gd2O3:Eu^3+纳米荧光粉,研究了掺杂离子对Gd2O3:Eu^3+的结晶性能、晶粒形貌和光致发光特性的影响.以X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、发射光谱和衰减时间谱等手段表征材料性能.结果表明,Li^+,Zn^2+掺杂可显著提高Gd2O3:Eu^3+纳米粉在611 nm处的发光强度,最大可达到未掺杂时的2.5倍.发光增强的主要原因可归结为3个方面: (1)使晶粒由单斜相向更利于发光的立方相转变; (2)氧空位的敏化剂作用; (3)掺杂离子的助熔剂效应,使晶粒的结晶性能提高、粒径增大,从而降低表面态引起的发光猝灭. 相似文献