全文获取类型
收费全文 | 2420篇 |
免费 | 136篇 |
国内免费 | 177篇 |
学科分类
工业技术 | 2733篇 |
出版年
2024年 | 15篇 |
2023年 | 52篇 |
2022年 | 37篇 |
2021年 | 33篇 |
2020年 | 45篇 |
2019年 | 58篇 |
2018年 | 62篇 |
2017年 | 34篇 |
2016年 | 34篇 |
2015年 | 41篇 |
2014年 | 102篇 |
2013年 | 63篇 |
2012年 | 78篇 |
2011年 | 82篇 |
2010年 | 88篇 |
2009年 | 123篇 |
2008年 | 99篇 |
2007年 | 117篇 |
2006年 | 149篇 |
2005年 | 126篇 |
2004年 | 146篇 |
2003年 | 78篇 |
2002年 | 61篇 |
2001年 | 83篇 |
2000年 | 91篇 |
1999年 | 84篇 |
1998年 | 59篇 |
1997年 | 84篇 |
1996年 | 76篇 |
1995年 | 59篇 |
1994年 | 51篇 |
1993年 | 59篇 |
1992年 | 73篇 |
1991年 | 76篇 |
1990年 | 43篇 |
1989年 | 50篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 6篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 4篇 |
1975年 | 5篇 |
1973年 | 8篇 |
1959年 | 2篇 |
1958年 | 2篇 |
排序方式: 共有2733条查询结果,搜索用时 527 毫秒
991.
992.
n—HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用定量迁移率谱技术,通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系,获得了n-HgCdTe光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率,结果与Shubnikov-deHass实验和理论计算的结果非常吻合. 相似文献
993.
施主掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的正电子湮没(PAT)研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用正电子湮没技术(PAT)研究了施主掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导化机制,结果表明,在低施主掺杂浓度下,半导化行为与准自由电子浓度有关,主要取决于电子补偿机制,同时晶格失氧对半导化也有贡献。高浓度时,重新绝缘源于缺陷的缔合。 相似文献
994.
995.
996.
997.
998.
999.
这篇文章结合具体的工程实例,讨论建筑结构设计中常常遇到的问题并对这些问题进行了分析,提出了处理这些问题有关方法。 相似文献
1000.
内蒙古慢性砷中毒地区少年头发中微量元素含量研究 总被引:7,自引:0,他引:7
报道了1994-1995年在内蒙古呼和浩特市土默特左旗慢性砷中毒病区采集的少年头发样品中砷等十多种微量元素含量的仪器中子活化分析结果,并与北京地区同年龄段少年发样中测量的值进行了比较,发现前者除发砷含量明显高于后者外,两者在其他许多微量元素含量上也存在显著性差异,特别是慢性砷中毒地少年头发中稀土元素和重金属元素Fe、Co、Cr等的含量均明显高于对照区。所得结果为研究呼和浩特市慢性砷中毒地区人群头发 相似文献