FCBGA高铅凸块non-wet的失效机制及基于封装工艺的解决方案

FCBGA封装芯片中晶片凸块和基片凸块之间的non-wet问题是一个已知的能导致严重低良品率和引入可靠性隐患的问题。本文研究了FCBGA封装形式中non-wet的典型失效模式和揭示了其生成机制, 并确定了晶片凸块表面残留的铅和锡氧化物是导致晶片凸块和基片凸块之间non-wet的主要成因。晶片凸块回流工艺实验表明,优化后的回流时间和氢气流速能显著减少和去除晶片凸块表面的铅锡氧化物,从而能把non-wet引起的报废率降低90%左右。 失效分析结果和量产数据都验证了本文揭示的non-wet的失效机制是正确的。 研究确定的凸块回流工艺的优化参数显著降低了non-wet引起的报废率,从而大大地节省了制造成本和提高了产能利用率。