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用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带. 相似文献
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氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。以显示行业中氧化物靶材作为重点,介绍了氧化物靶材制备流程,主要从素坯成型、烧结工艺两个角度对氧化物靶材进行总结,分析了烧结工艺对靶材参数与溅射薄膜电阻率、光学透射率及粗糙度等方面的影响,最后阐述了国内外氧化物靶材市场的现状及发展趋势。 相似文献
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研究炭黑的种类及用量、硫化体系、硫化条件和天然橡胶(NR)/顺丁橡胶(BR)并用比等因素对NR/BR复合材料抗裂口增长性能的影响。结果表明:当炭黑用量在一定范围内时,炭黑的种类和用量影响NR/BR复合材料的抗裂口增长性能;随着促进剂NS用量的增大或硫化时间的延长,NR/BR复合材料抗裂口增长性能变差;适当提高硫化温度或增大硫黄用量,NR/BR复合材料的抗裂口增长性能提高;NR/BR并用比、炭黑分布或硫化体系不同时,NR/BR复合材料的抗裂口增长性能都有差异性。 相似文献
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p型金属氧化物材料氧化亚锡由于其特有的光学和电学性能,使得其在催化、传感、光电器件等领域受到越来越多人的青睐。本文重点介绍了氧化亚锡在薄膜晶体管中的研究应用,薄膜晶体管作为显示器驱动面板核心部件,其在显示器中的作用至关重要。本文归纳了氧化亚锡薄膜晶体管的研究进展,对氧化亚锡微观性能分析、氧化亚锡薄膜材料制备以及晶体管制备方法等进行介绍。通过对氧化亚锡晶体结构以及电子结构进行详细介绍,探讨了氧化亚锡性能微观调控机制;并通过对氧化亚锡材料的制备以及器件的应用研究,分析了氧化亚锡薄膜晶体管所面临的器件电流开关比低的问题并展望其在互补金属氧化物半导体器件方向的前景,以期为制备稳定和环保的p型金属氧化物薄膜晶体管提供参考。 相似文献
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为方便对AM-OLED显示屏的各项性能进行测试,本文设计了基于labVIEW(Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench实验室虚拟仪器工程平台)的AM-OLED显示屏V-I-L曲线自动化测试系统,实现了在同一个软件下对显示屏的电压、电流、亮度、色坐标等特性的测试。首先,构建硬件电路即基于FPGA的AM-OLED显示屏驱动电路。接着,在此基础上利用labVIEW平台设计了AM-OLED显示屏V-I-L曲线测试系统的软件系统。最后,利用该系统对自主研发的基于MOTFT技术的12.2cm(4.8in)AM-OLED显示屏进行了测试,验证了系统的可靠性。通过对测试结果进行分析,AM-OLED显示屏达到设计亮度时各像素所需的数据电压约为9.2V。总之,本系统实现了对显示屏性能参数的自动化测试,为显示屏的白平衡调节和AMOLED专用驱动芯片设计提供了数据支持,为显示屏的优化设计指明方向。 相似文献
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银纳米线薄膜制备工艺简单,与柔性衬底兼容,光电性能优异,被视为最有可能替代传统ITO的柔性透明电极材料之一。银纳米线的细线径、高长径比是提升薄膜光电性能的关键。采用多元醇法制备了银纳米线,研究了AgNO3添加方式、PVP分子量和成核控制剂对银纳米线形貌的影响。通过优化银纳米线的制备工艺,最终获得了线径为35.5 nm的银纳米线,其薄膜方阻低至147.5 Ω?sq-1,在550 nm处透过率高达96.21%。为了提升银纳米线透明薄膜电极的热稳定性,开发了GZO/AgNWs/GZO“三明治”复合新结构。结果表明,该复合结构电极经过250 ℃热冲击,不仅仍然保持高透明(550 nm透过率为82.42%),而且方阻的增加值不超过78%。GZO/AgNWs/GZO“三明治”透明电极具有高热稳定性,为银纳米线透明电极的商业化应用提供有益借鉴。 相似文献