简化扩页内存编程

一、引言为了突破DOS只能管理640K自由内存空；司的限制，1985年由Lotus、Intel和Microsoft等著名大公司联合推出了扩页内存管理规范EMS。第一个广泛支持EMS规范的版本为EMS3．2，支持最大为SM的EMS内存。最新的EMS4．0基于EMS3．2，它功能更为完善，使用更灵活，可以访问32M的内存空间，支持Windows和DESQview等建立在DOS系统之上的多任务操作环境。通过在CONFIG．SYS文件中用DEVICE语句指定，计算机启动时自动加载扩页内存管理程序EMM（ExpandedMemoryManager）之后，就可以在应用程序中直接通过EMS功能调用来使…     

玻璃包装改进及经济效益分析

论述了平板玻璃包装技术改进对提高包装质量和企业经济效益的影响,介绍了平板玻璃包装箱(架)的性能,简述了计算机辅助设计及计算机辅助管理在玻璃包装结构设计及包装质量管理中的效用。     

长虹牌CK-53A彩电故障检修二例

<正> [例1]故障现象 每次开机约两分钟后图像无规则上下跳动,其它功能正常。 分析与检修 调场同步可调电阻R407,能暂时同步,说明场振荡频率正确,估计是场振荡电路中某元件的热稳定性差。该机场频电路中由IC501(AN5435)与(13)脚外接RC元件组成锯齿波形成电路,查IC501(15)脚电压为12V(正常);测量(13)脚电压在6V上下波动很大(正常为6V)。怀疑是锯齿波形成电容C404(3.3μF/16V)热稳定性差。用一只3.3μF/16V钽电容更换后试机,故障排除。     

改善重油性质的新工艺

加利福尼亚的烃类科技公司已经开发出一项可以改善重质原油物理化学性质的新工艺，这项工艺是使用一种添加剂使之与原油在中等温度和接近大气压力的条件下发生反应。     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然