化学键性质机械合金化过程中非晶形成能力的影响

研究了Ｂ２型金属间化合物ＦｅＡｌ和ＦｅＴｉ的机械合金化过程，发现的相同的试验条件下，ＦｅＡｌ形成化学无序的固溶体，ＦｅＴｉ形成结构无序的非晶态，此现象可用ＦｅＡｌ的化学键为金属－离子混俣键，而ＦｅＴｉ的化学键为金属－共价－离子混合键来解释。     

湿化学法制备纳米ATO导电粉

采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2～ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。     

80钢盘条拉拔断裂原因分析

用扫描电镜、金相显微镜观察分析了80钢盘条拉拔断裂的断口，并对盘条进行了理化检验分析。结果表明，盘条组织中较多的网状二次渗碳体是盘条在拉拔过程中脆断的主要原因。     

Thermal Characterization of 1.3 μm InAsP/InGaAsP Ridge Waveguide MQW Lasers Based on Spectroscopy Method

An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed.     

实证分析:上市公司资本结构的影响因素

在国内外相关研究的基础上，利用我国资本市场的公开数据，对上市公司资本结构的影响因素进行实证研究，得出了若干重要结论。     

稠油油藏的注汽量预测

利用HCZ预测模型，可对已开发油田的年产量和累计产量进行全程预测，并且在实际应用中取得了较好的预测结果。本文结合稠油田的实际情况，推导出HXZ预测模型在热采中注汽参数的预测公式。结合曙光油田曙1－7－5块的开发数据进行了预测，效果较好。     

单片机实现的数码录放机

采用单片机作为主控核心，利用TP3057芯片实现语音的编／解码，D6571芯处实现模／数转换和压缩以及数／模转换，采用Flash ROM存储技术，实现了语音的存储与回放功能。介绍了语音存储与回放系统的原理，硬件结构和程序设计。     

消光剂TiO_2悬浮液配制工艺优化

讨论了在配制过程中减少凝聚粒子形成的有效措施。分散系统由分散器和弱搅拌组成 ,悬浮液初始浓度为 5 0 % ,分散时间应在 0 .5h以上。莫诺泵最佳转速在 85r min左右 ,球磨后TiO2 大粒子通过离心机分离出去 ,使产品中的大于 10 μm的凝聚粒子数小于 0 .4个 mg。     

纳米氧化铟粉体的形貌与结构研究

用湿化学法制备了纳米极氧化铟超细粉体。利用透射电子显微镜、图像分析仪研究了纳米氧化铟粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。结果表明，氧化铟粉体呈方片状，尺寸在10-30nm，化学组分高纯，达到了纳米级粉末要求；粉体的尺寸均匀，但在不同条件下制得的粉体，其尺寸相差较大；制备得到的氧化铟超细粉体的结构为体心立方。     

分子束外延生长CdTe／ZnTe超晶格室温喇曼散射

首次报道了室温和非共振条件下,分子束外延(MBE)生长的CdTe/ZnTe超晶格的喇曼散射测量和分析。观察到最低级次的CdTe和ZnTe纵光学声子限制模,并用应力和限制效应精确计算了频移,得到的ZnTe纵光学声子频移理论值与实验结果符合得较好。特别指出,当CdTe和ZnTe层厚小于2nm时,声子频移的限制效应不可忽略,对所测样品的喇曼全谱作了分析。