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本文以维斯康尼的四个建筑作品为例分析了其建筑设计的艺术特性。凭借对“限制”内涵的深入思考和领会,维斯康尼以其独特的手法和操作方式营建其作品的永恒性。 相似文献
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概述了阴影屏蔽法的操作步骤。对阴影屏蔽法所不能扣除的端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献进行了估算:当被刻度的仪器距端墙1.5m远时,端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献约为0.1—1%。对过阴影屏蔽与阴影屏蔽不足等若干影响因素分别进行了实验或讨论。 相似文献
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通过对耐热耐蚀合金Incoloy 80 0H的性能分析 ,指出它与普通奥氏体不锈钢相比具有较优的抗氧化性能、耐蚀性和高温蠕变强度。针对催化裂化装置同轴式沉降再生器内部所用Incoloy 80 0H焊件易出现裂纹的问题进行分析 ,认为在施焊过程中由于合金凝固时有低熔点金属或化合物的液态膜残留在晶界区 ,该合金具有高的焊接热裂纹敏感性 ,若焊材选择不当 ,焊丝填充不充分、缺少保护气等将导致晶间裂纹产生。提出了该合金采用TIG焊接防止热裂纹产生的措施。 相似文献
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长江重要堤防隐蔽工程是党中央、国务院实施积极财政政策进行长江堤防建设的重要组成部分,隐蔽工程既是重要的基础设施,也是重要的环境保护工程,隐蔽工程与其他行业的关联性很强,对众多行业具有巨大的带动作用,有效地扩大了内需,拉动了经济增长。 相似文献
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Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
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