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131.
阐述了加氢催化剂预硫化的方法和预硫化对加氢催化剂的作用,介绍了国外公司在加氢催化剂器外预硫化技术领域的发展近况,同时对国内相关单位在该领域的技术现状作了具体论述。 相似文献
132.
网络通信维护的高代价不是一般企业能够承担得起的,因此发展了高可用集群技术.介绍了最常见的双节点高可用集群系统的原理及其双机热备份系统的状态机.目前在电信网管、计费、智能网、短消息的系统应用中,无一例外都使用了双机热备份的系统. 相似文献
133.
应用油藏地球化学的方法对塔河油田的成藏期次进行了探讨。塔河油田稠油正构烷烃分布完整,但色谱基线不同程度抬升;原油非烃和沥青质碳同位素偏轻,族组成碳同位素发生倒转;原油中普遍含有25-降藿烷。这些特征表明该区油藏经历了至少两期成藏过程,早期充注原油遭受生物降解作用后又受到高成熟原油充注。塔河油田天然气为典型的油型气,成熟度较高,为成熟—过成熟阶段产物,亦显示了两期充注的特征:早期充注的为典型的原油伴生气,充注时间与后期原油的充注时间相同;晚期充注的为高温裂解气,充注方向为自东向西。因此,塔河油田至少存在着3次油气充注过程。 相似文献
134.
根据洗浴废水的水质特征,采用原水→混凝沉淀-过滤→固定化生物活性炭(Immobilized Biological Activated Carbon,IBAC)→微滤膜(MF)→UV消毒→出水的工艺流程.混凝沉淀-过滤物化预处理单元可以有效地减少洗浴废水中的各类污染物.IBAC生化处理单元,实现有机污染物、LAS、浴臭等有效去除,是保证出水合格的根本措施.微滤膜发挥物理截留作用、UV消毒杀死细菌和总大肠菌群.出水水质达到<城市供水水质标准>(CJ/T 206-2005). 相似文献
135.
136.
Feng Juanni Guo Xuefeng Xu Chunjie Zhang Zhongming 《中国稀土学报(英文版)》2006,24(1):120-120
As-east mierostruetures and their distribution of Mg-Zn-Y ternary alloy with high magnesium, low zinc and yttrium were examined using Nikon Epiphot optical microscopy (OM), RigakuD/max-3C X- ray diffraetion (XRD), and JEOL JSM-6700F scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energydispersive X-ray spectroscopy (EDS). In the as-east mierostructures, Yttrium and zinc tend to segregate at grain boundaries, 相似文献
137.
138.
计量用脉冲Nd:YAG倍频激光器及其电源 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了脉冲Nd:YAG倍频激光器双波长(1064/532nm)3种输出的激光光路。1064nm输出的动静比可达0.40;KTP晶体外腔倍频效率可达0.50。介绍了稳定可靠的调Q电路、逻辑控制电路和开关电源的主电路及其参数计算。 相似文献
139.
L. Gao P. Hrter Ch. Linsmeier J. Gstttner R. Emling D. Schmitt-Landsiedel 《Materials Science in Semiconductor Processing》2004,7(4-6):331
Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt3)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO2/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO2/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO2 substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas. 相似文献
140.