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The enhancement mode GaN metal-insulator-semiconductor field effect transistor (E-MISFET) is successfully fabricated on a GaN/A1GaN/GaN double heterojunction structure with SiO2 as the insulator layer. The enhancement mode DC characteristics have been first achieved in the device with the gate-length of 6μm,10μm and gate-width of 100μm. The device with gate-length of 6μm shows the DC transconductance of 0.6 mS/mm and the maximum drain-source current of 0.5mA. The gate leakage current is lower than 10-6A at the bias of -10V while the gate breakdown voltage is higher than 20V. This result proves the presence of a piezoelectric field in the heterojunction,the strongly asymmetric band bending and the carriers distribution caused by the piezoelectric field. 相似文献
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热轧板带钢工艺润滑技术是20世纪60年代末发展起来的一项新型技术,能有效降低轧制压力和辊耗,节约电能,改善产品质量。日本、欧美等先进国家的热轧板带机组已普遍采用此项技术。我国于20世纪80年代在部分钢厂进行热轧试验,并逐渐开始重视对热轧工艺润滑的研究。目前,国内许多钢厂的热轧板带生产线均已成功地应用了热轧板带钢工艺润滑技术,并获得了良好的经济效益。 相似文献
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钻井过程中的钻柱状态,并非是无规则地贴附在井壁上.而是呈“准螺旋状”沿井眼轴线方向排列。分析了岩屑床形成的力学模型、水力学模型以及它们共同作用的模型,研究出了不同钻柱状态对钻井液流动的影响。在发生钻柱“准螺旋”状态的井段。钻井液所携带的岩屑更容易形成岩屑床。利用钻杆的“准螺旋状”性质,提出了一种模拟和预测钻井液在水平井与大斜度定向井井眼内携砂效果的新方法,根据该方法可判断钻井液携砂情况。并较准确地指出井眼内由于钻井液携砂不良而易于沉砂的位置。同时编制了相应的模拟软件。该软件结合渤海秦皇岛32—6平台的钻井实践进行了验证。获得了较满意的结果。 相似文献
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低压直流系统与交流系统相比,在系统结构、初期投资、系统可靠性、安全性、电能质量和能耗等方面存在诸多差异.在存在这么多差异的情况下,对低压直流系统进行经济性评估是非常必要的,因为投资造价是决定低压直流配/用电系统是否具备推广应用的技术经济可行性的重要因素.围绕民用建筑、市政供电和工业用电三类场景开展低压直流配/用电系统经济性评估,通过与等效交流系统对比,根据不同供电场景特征需求,考虑多维度的投资-收益,结合传统经济性指标,提出能准确体现低压直流系统特征的经济性评估方法;并通过民用场景的典型算例验证评估方法的有效性,为低压直流系统的市场推广提供初步的指导性意见. 相似文献
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90.
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制.研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化,发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,Au的外延结构进一步改善,O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值.但当合金温度升高到600℃时,金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散,从而脱离与p-GaN的接触,使ρc显著升高. 相似文献