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111.
本文用树脂结合剂金刚石砂轮对钒酸钇晶体进行了平面磨削实验,研究了砂轮线速度、工件进给速度和磨削深度对磨削力和磨削表面粗糙度的影响。结果表明:磨削力和磨削表面粗糙度都是随着砂轮线速度的增加而减小,随进给速度和磨削深度的增加而增加,其中磨削深度对磨削力影响最大,砂轮线速度对磨削表面粗糙度影响最大。钒酸钇晶体的磨削表面主要由断裂区域和光滑区域组成,当砂轮线速度为30m/s时,磨削表面存在宽度约100μm的裂痕,而随着砂轮线速度的上升,裂痕宽度降低到50μm以下,同时光滑区域所占的比例增加,这可能与发生塑性变形的机率增大有关。 相似文献
112.
超声波冲击破碎粗粒度金刚石的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用超声波冲击方法控制金刚石的微破碎,实验中采用圆锥形和楔形两种不同刃口形状工具进行冲击破碎实验,观察不同参数下所获得的金刚石形貌,实验结果表明:利用楔形刃口形状工具冲击单颗金刚石,可以控制金刚石的破碎大小;并且在同一实验参数下,四边形顶面的金刚石破碎程度比六边形顶面的金刚石破碎程度大;通过调节合适的超声波冲击参数,利用楔形刃口工具可以使粗粒度金刚石按照不同形式刃口进行破碎。 相似文献
113.
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54%,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著。 相似文献
114.
115.
采用分离式Hopkinson压杆试验技术,对山西黑花岗岩进行了一系列不同应变率(315.53s-1~1349.87s-1)的动态压缩试验。试验结果表明:山西黑花岗岩在高应变率条件下,动态抗压强度表现出突变特性:应变率从460.09s-1上升到860.20s-1的时候,山西黑花岗岩的动态抗压强度从272.33MPa提高到371.78MPa;在高应变率条件下,山西黑花岗岩材料的破碎机理为在初始冲击波作用区先产生体积破碎,而后在试样后半部分产生赫兹破碎;山西黑花岗岩在高应变率下的弹塑性变形能随应变率的增大而减小,高应变率条件下材料失效和裂纹扩展消耗更多能量,对应更加严重的材料破碎。 相似文献
116.
一种磁流变阻尼器的分数阶微分模型 总被引:1,自引:1,他引:0
对磁流变阻尼器系统建立分数阶微分方程表征其非线性特征,将系统输出位移信号拟合磁流变阻尼器系统分数阶微分方程,以4个参数拟合这一黏弹性系统,其拟合精度明显高于整数阶微分方程.实验和分析表明,微分方程的阶数与磁流变阻尼器加载的电流有关,加电流时分数阶项阶数较不加电流时明显升高;加电流后分数阶项的阶数随电流强度的增加而增大;同时电流强度越大,系统惯性力的影响越小,黏、弹性力的影响程度也发生变化,控制电流强度越大,黏性力的影响越占优势;当磁流变液达到磁饱和时,模型不再随电流强度的变化发生改变.系统的黏弹特性和系统模型参数也受磁流变液性能和工作条件的影响. 相似文献
117.
氮化硅陶瓷高效深磨温度的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
采用K型可磨热电偶对氮化硅陶瓷高效深磨的温度进行了测量,讨论高效深磨中不同磨削参数对磨削区温度和能量分配的影响.研究结果显示,氮化硅陶瓷高效深磨中,磨削区温度通常在200~300℃之间,磨削能量分配系数在2%~5%之间.这表明大部分热量被磨屑和冷却液带走,避免了磨削区的高温.磨削区温度与弧区的平均热流密度有着较好的线性关系,即热流密度越高对应的磨削区温度越高.当砂轮线速度或磨削深度高于临界值时,磨削弧区的温度先逐渐升高到约250℃,然后急剧上升至接近干磨时的温度. 相似文献
118.
119.
福建省机床工具协会金刚石工具专业委员会一届二次理事会于1994年1月5~6日在泉州市召开,共有十个理事单位的14名代表出席会议。本会的主要目的是组织技术交流、提供技 相似文献
120.