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以正丁基溴为引发剂,卤化亚铜/联吡啶(bpy)为催化剂,研究了甲基丙烯酸甲酯(MMA)与末端为丙烯酰胺基的聚氧化乙烯(PEO)大单体的原子转移自由基聚合(AWTRP)反应,得到的实测分子量与理论分子量相近,分子量分布较窄,有预期结构的接枝共聚物,用IR,^1H-NMR,VPO,GPC,DSC等进行表征,并对单体总浓度,投料比,引发剂及反应时间对共聚物的组成和分子量的影响进行了讨论。 相似文献
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A novel I/Q mismatch calibration technique based on a digital baseband for a direct conversion transmitter is implemented in TSMC 0.13μm CMOS technology.The proposed technique finishes a calibration task, which only needs a calibration chain to detect mismatches and then transmit them to the digital baseband.Simulation results show that the calibrated errors of the proposed technique are less than 7%.The measurement results indicate the function of the proposed technique is correct,but the performance should be improved further. 相似文献
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为实现超临界压力下吸热型碳氢燃料密度的准确测量,以相关测量技术为基础,设计搭建了一套密度在线测量系统。该系统在间距148 mm的管道上下游安装两只具有相同热电特性的K型热电偶作为互相关法的传感器,通过对热电偶检测到的随机温度信号进行相关计算,得出该信号经过上下游热电偶的延迟时间,计算得到流体截面的平均流速,在已知质量流量后,根据质量守恒定律进而求得流体密度。采用纯物质十二烷及质量比1∶1正辛烷/正庚烷二元混合物标定测量系统精度,实验结果与文献值的最大误差在±1.2%以内,平均相对误差小于0.6%。在此基础上,对压力p = 3.0、4.0、5.0 MPa,温度T = 302.0~529.6 K,吸热型碳氢燃料密度进行测量,该方法的应用为超临界压力下吸热型碳氢燃料密度的准确测量提供了新思路。 相似文献
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根据声测连发地面炸点技术研究课题的需求,分析了复杂背景下连发弹丸爆炸声信号的特点,研究了一套适用于靶场实际测量环境的多目标信号时延估计技术,主要步骤为信号预处理、目标识别和时延提取。计算机模拟仿真结果表明,算法的时延估计精度可达到1.2毫秒,并可正确分离间隔大于半个信号主脉宽(约10毫秒)的粘连信号。利用课题组自行研制的原理样机采集了实弹射击的声信号,试验处理结果验证了算法的可靠性与正确性,且时延估计误差与数值仿真一致,较好地解决了连发地面炸点目标声学定位中的时延估计问题。 相似文献
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为了解决处理器时序收敛困难和设计时间长的问题,本文基于14 nm的定制化处理器(WS_CPU)提出了一种高效可靠的设计方法:(1)基于一种新型的FCHT(Flexible Configurable H-Tree)时钟结构,实现时钟信号均匀分配和减少绕线时间,同时采用CCOPT(Clock Concurrent Optimization)技术进行时钟树综合优化;(2)在综合阶段采用DCG(Design Compiler Graphical)模式和门控时钟插入技术,提前评估设计风险从而减少布局布线的迭代时间。验证结果表明,当WS_CPU时钟频率为1 GHz时,寄存器之间建立时间的时序余量为108 ps,有效地实现了时序快速收敛,同时FCHT结构相比传统平衡树、柔性H树、3级H树的芯片总功耗分别减少了7.71%、6.18%、7.87%;FCHT时钟结构相比传统平衡树在时序修复上节省了3 156 min,相比柔性H树节省了5 220 min的时序修复时间,缩短了芯片的设计周期。 相似文献
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作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用。用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化。近年来,中红外波段在自由空间通信、传感以及环境监测等领域的潜在应用受到研究者们的广泛关注。文中分析了中红外硅基光波导的研究现状,归纳了SOI(Silicon on Insulator)、GOSI(Ge-on-SOI)、SOS(Si on Sapphire)、GOS(Ge-on-Si)、SGOS(SiGe-on-Si)、SON(Si-on Si3N4)、GON(Ge-on Si3N4)等波导材料平台和SOPS (Si on Porous Si)、Undercut、Pedestal、Freestanding、Suspended、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)以及等离子体结构等制造工艺平台的研究成果。迄今为止,多数... 相似文献