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对光阴极电子注入器中金属光阴极的热发射度进行了理论研究.金属光阴极的热发射度由两部分构成.一方面对于理想平坦的阴极,光电子穿越表面势垒后有一定的残余动能,造成一定的热发射度,这部分前人已经做过一些理论研究.本文改进已有的模型,进一步给出了理想平坦光阴极的热发射度.另一方面,阴极表面的粗糙度将造成热发射度的增加,本文首次解析地分析了表面粗糙度对光阴极电子枪热发射度的影响,得到表面粗糙度造成的热发射度的估计公式.本文对金刚石车削后的铜、镁的表面形貌进行了测量,表明粗糙度造成的热发射度大约0.4mm·mrad.本文的热发射度理论能够较好的解释目前国际上铜、镁阴极的热发射度的测量结果. 相似文献
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997.
本文提出了一腔双模矩形开口腔的近似理论,再用金属栅条来控制腔体内两个接近简并的模,使腔外物体只对其中一个模产生做扰(称该模为工作模),而对另一个模不产生微扰(称为参考模)。从理论上可以通过测量双模的谐振频率之差地f1-f2=△f及双模的有载Q值之差QL1-QL2=△Q这两个参数来确定腔外物体的两个参数,例如,此物体的含水量及其温度。利用这个原理做出的微波检测设备(例如测湿设备)就可以直接在较差的环境下工作。文中还近似地计算了矩形波导端面开一个对称的矩形窗口的归一化等效导纳,并测试了样本谐振腔作为传感器。结果表明,它可以用于工业生产,作为连续测试的可携带式仪表。 相似文献
998.
999.
使用离线γ测量技术在质心系25.0—40.5MeV的能区测量了12C+93Nb熔合反应产生的二中子和三中子蒸发道的激发函数。由于在相同的激发能下,蒸发道的相对截面比与复合核的角动量有很强的依赖关系,应用统计蒸发程序(CASCADE),从二中子和三中子蒸发道的截面中提取不同能量下的复合核平均角动量和熔合截面。同时从能很好地拟合熔合激发函数的简单耦合道模型(CCFUS)计算中提取复合核的平均角动量。两种方法得到的复合核平均角动量随入射能量的变化相自洽,表明耦合道模型
关键词: 相似文献
1000.
本文主要研究连续CO2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO2激光照射半导体有如下特点:CO2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。
关键词: 相似文献