k维各向同性谐振子的超对称量子力学体系

构造了k维各向同性谐振子的四类升降算子，及相应的超对称量子力学体系，并讨论了它们的一般形式。     

aodSrTi1-xRuxO3系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构研究

利用同步辐射光电子能谱技术研究SrTi_1-xRu_xO₃系列类钙钛矿结构氧化物的电子结构. 通过测量该系列氧化物的光电子能谱(PES)和X射线吸收谱(XAS),得到了SrRuO₃在入射能量53eV时的共振光电子能谱(RPES),SrTi_1-xRu_xO₃中,随着x变化而变化的价带光电子能谱和O 1s的吸收谱.然后参照文献中局部密度近似方法(LDA)模拟计算的能带结构,进行初步的分析和解释.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150 K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5 eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

表面热处理研究石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱

用表面敏感光电子能谱全电子产额模式(TEY)对石墨及含杂质单壁碳纳米管的C 1s X射线吸收谱进行了研究.在高真空里表面退火处理后,石墨C 1s X射线吸收谱中未占据π^{*和σ*态特征峰之间的小峰消失,证实此峰不是来自于一直被认为的所谓的类自由电子态,而来自于样品表面态,即表面结构扭曲或吸附气体所引起的结构变化.而且π*和σ*峰强度有明显的变化,提示着在研究不同纳米管未占据态的态密度对比研究中,原位温度处理是关键的.我们通过对含杂质不同单壁碳纳米管的态密度对比研究来说明这种处理过程的必要性.}     

异翅独尾草（百合科）的胚胎学研究

异翅独尾草子房内部结构特殊，子房壁内外表层细胞特化，腔内具贮水组织；胚珠外面覆以特殊附属物－假种皮；珠心组织在珠孔端及合点端细胞具明显的极性分化，胚囊为７细胞８核的蓼型结构。     

Co/Cu(111)薄膜生长和退火过程中的扩散

利用同步辐射角分辨光电子能谱和俄歇电子能谱研究了CoCu(111)分子束外延薄膜在生长和退火过程中的电子结构.实验发现:随着Co膜厚度的增加,Cu的sdz2杂化带能级位移相应增大,证实了界面间发生了互混;退火过程中存在表面扩散,而非通过界面的体扩散.并把这两种不同过程的扩散的内在动力归结为Co的表面自由能显著大于Cu的表面自由能 关键词： 表面扩散和界面混合物形成 固体表面能 表面态和能带结构     

In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition

The in situ valence band photoemission spectrum （PES） and X-ray absorption spectrum （XAS） at V LⅡ-LⅢ edges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition （MIT） temperature （TMIT=67 ℃）. The spectra show evidence for changes in the electronic structure depending on temperature. Across the TMIT, pure V 3d characteristic d‖ and O 2p-V 3d hybridization characteristic πpd, σpd bands vary in binding energy position and density of state distributions. The XAS reveals a temperature-dependent reversible energy shift at the V LⅢ-edge. The PES and XAS results imply a synergetic energy position shift of occupied valence bands and unoccupied conduction band states across the phase transition. A joint inspection of the PES and XAS results shows that the MIT is not a one-step process, instead it is a process in which a semiconductor phase appears as an intermediate state. The final metallic phase from insulating state is reached through insulator–semiconductor, semiconductor–metal processes, and vice versa. The conventional MIT at around the TMIT=67 ℃ is actually a semiconductor–insulator transformation point.     

Er^3+,Cr^3+共掺杂BaAl2Si2O8荧光粉的发光性质及能量传递

利用高温固相法合成BaAl2Si2O8:Cr^3+,Er^3+系列荧光粉,研究了Cr^3+和Er^3+掺杂对BaAl2Si2O8材料发光特性的影响.BaAl2Si2O8:Er^3+荧光样品在393 nm激发波长下只呈现出峰值为550 nm的绿色荧光,来源于2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2跃迁的叠加.BaAl2Si2O8:Cr^3+荧光样品在550 nm激发波长下呈现峰值为694 nm的红色荧光,来源于2E→4A2的跃迁.在共掺杂样品BaAl2Si2O8:Cr^3+,Er^3+中,用Cr^3+激发峰的凹槽处380 nm作为激发光,得到的发射峰不仅有Er^3+的发射峰位,还有Cr^3+的发射峰位,说明两个离子之间可能存在辐射能量传递;对共掺杂BaAl2Si2O8:1%Cr^3+,x%Er^3+样品的荧光光谱进行测试,随着x的增加,Cr^3+的激发和发射光谱强度均有所增加,并且当x=0.5时,光谱强度是原来的4倍.另外,当固定Cr^3+的浓度时,随着Er^3+的浓度增加,Cr^3+的荧光寿命逐渐增加;当固定Er^3+的浓度时,随着Cr^3+的浓度增加,Er^3+的荧光寿命逐渐减小.这些现象表明了Er^3+和Cr^3+之间存在共振能量传递,通过理论计算得到Er^3+和Cr^3+之间的能量临界距离为4.5 nm,属于电偶极-电偶极相互作用.     

维吾尔语语音语料库管理软件的研究与实现

语音语料库是语音识别和语音合成技术研究的基础.由于维吾尔语文字与语音特征、维吾尔语语音语料库的建立、管理、使用之工作不仅工作量巨大,且具有一定的复杂性,这就不得不开发维吾尔语语音数据库管理软件.本文首先研究维吾尔语语音语料库的设计过程,包括语音文本的设计、语音录制、语音库的标注、并在此基础上论述维吾尔语语音语料管理软件的总体功能设计以及部分关键技术的实现方法.     

Influence of nitrogen and magnesium doping on the properties of ZnO films

Undoped ZnO and doped ZnO films were deposited on the MgO(111) substrates using oxygen plasma-assisted molecular beam expitaxy. The orientations of the grown ZnO thin film were investigated by in situ reflection high-energy electron diffraction and ex situ x-ray diffraction(XRD). The film roughness was measured by atomic force microscopy, which was correlated with the grain sizes determined by XRD. Synchrotron-based x-ray absorption spectroscopy was performed to study the doping effect on the electronic properties of the ZnO films, compared with density functional theory calculations.It is found that, nitrogen doping would hinder the growth of thin film, and generate the NOdefect, while magnesium doping promotes the quality of nitrogen-doped ZnO films, inhibiting(N_2)Oproduction and increasing nitrogen content.