水热法制备纳米二氧化锆及其动力学研究

研究了水热法制备纳米二氧化锆过程中,制备前驱物的投料比n(NH3·H2O)∶n(ZrOCl2·8H2O)、水热反应的温度及保温时间对平均粒径dXRD及结晶率Xc的影响,研究结果表明:随着反应温度提高,晶体生长速率增大,晶化率提高,同时平均晶体粒径增大;水热时间延长,晶化率上升。其动力方程用Avrami动力学方程表示,分别求出在水热温度为 180℃时,动力学方程为ln[-ln(1-Xc) ] =ln1.28 0.578lnt;当水热温度为 240℃时,动力学方程为ln[-ln(1-Xc) ] =ln1.80 0.327lnt;当保温时间≥1h时,方程计算结果与实测数据基本吻合,其相对误差≤2. 6%。     

一步水热法制备核壳型纳米粉体研究

简述了纳米微粒表面修饰的重要性以及修饰方法，并指出制备核壳型纳米材料是一种重要的表面修饰方法。液相法制备核壳纳米粉体具有反应温度低、设备简单、能耗低的优点。而一步水热法在液相法中具有其它方法无法比拟的优越性。因此，重点讨论了一步水热法制备核壳纳米粉体的工艺流程和机理，并对一步水热法制备核壳型纳米材料进行了展望。     

固-固化学反应制备纳米级氧化锆的工艺研究

采用氯氧化锆和草酸为原料进行低热固相反应,从而得到草酸氧锆前驱物,前驱物经煅烧得到纳米级ZrO2粉体.对前驱物进行了TG-DSC分析,对球磨条件、焙烧条件及其对产物粒径的影响进行探讨,并对分解产物进行XRD测定和TEM扫描.结果表明:产物粒度分布均匀,无明显团聚现象,纯度高,得到四方相为主的纳米氧化锆粉体,其平均粒径在11 nm左右.     

氧化铝原料对合成SrAl2O4(Eu,Dy)材料余辉发光性能的影响

通研究不同氧化铝原材料的组成和形貌,分析它们对合成稀土铝酸盐长余辉发光材料性能的影响,发现原晶结构和晶粒类型是影响合成产物长余辉发光性能的重要因素;而通常氧化铝原料的纯度基本上可以满足合成原料的纯度要求。     

山梨酸的电合成技术

在醋酸—醋酐体系中，以醋酸锰为电解煤质，通入丁二烯电解合成山梨酸的前体—乙酰氧基己烯酸（ＡＡ），再将其酸化水解制得山梨酸。讨论了电解反应和酸化反应的各种影响因素，找出了最佳工艺条件，本工艺特点是原料易得、便于操作、无三废污染     

ACF的制备及其在VOCs回收中的应用进展

总结了活性炭纤维的制备工艺及发展趋势和前景,指出了活性炭纤维作为吸附剂的特点,如吸附容量大,吸附/解吸速率快等,并根据这些特点介绍了活性炭纤维目前的应用领域.挥发性有机废气危害性大,故详细地分析了活性炭纤维在挥发性有机废气回收中的应用,并指出此应用今后发展方向.     

中低温固相反应法制备纳米级铈锆复合氧化物固溶体

以碳酸铈、碳酸锆、草酸为原料,用中低温固相反应法制备了纳米级铈锆复合氧化物(CexZr1-xO2)。通过XRD、TEM、BET等测试手段对产物进行了表征,结果表明:所得产物为单一的立方晶系固溶体,平均粒径<40nm,比表面积达98.94m2/g。采用中低温固相反应法制备纳米级铈锆复合氧化物无需溶剂、无废液、节能,是一种绿色化学新工艺。     

纳米ZrO_2/Cr复合电沉积的工艺条件

将纳米浆料ZrO2加入基础铬镀液中进行电沉积,获得了纳米ZrO2/Cr复合镀层。对比研究单组分镀铬和复合镀工艺条件,结果表明:随着电流密度增大,两种电镀电流效率都是先增加,达到最大值后下降;电镀时间延长,相应镀层厚度增大,但超过20 min后,镀层外观粗糙。确定了适宜的电镀工艺范围:时间15～20 min,电流密度15～17.5 A/dm2,搅拌强度300 r/min,温度为25～30℃。SEM和能谱分析表明,复合镀层中纳米微粒分布均匀,锆元素的平均含量为1.45%(质量分数)。     

纳米复合电沉积技术研究进展

介绍了纳米复合电沉积技术的研究现状,详细阐述了纳米复合电沉积中电流密度、纳米颗粒特征、颗粒分散等三个因素对镀层性能的影响情况,指出了机理研究和工艺技术研究的发展方向.     

锂离子电池正极材料LiNi0.5Mn1.5O4的固相法制备及性能研究

以Ni(CH3COO)2·4H2O和Mn(CH3COO)2·4H2O为原料,分别在400、500℃分解3、7h得到镍锰复合氧化物前驱体,再与锂源Li2CO3混匀,在800℃煅烧12h,600℃退火24h得到LiNi0.5Mn1.5O4正极材料。XRD、SEM、EIS和恒流充放电测试结果表明,在400℃、7h制备的前驱体与Li2CO3合成的LiNi0.5Mn1.5O4性能最佳。室温下以0.1C倍率充放电,首次放电比容量达到141.5mAh/g,循环30次后容量保持率为98.55%;以1C倍率充放电,首次放电比容量为120.34mAh/g,循环30次后放电比容量为112.09mAh/g。