退火对电沉积纳米晶镍在不同腐蚀液中耐蚀性影响的研究

采用直流电沉积法制备纳米晶Ni镀层,通过电化学法研究了不同热处理温度下电沉积纳米晶镍的耐蚀性。结果表明：电沉积纳米晶镍在200 ℃以下退火,晶粒尺寸变化不明显,300 ℃退火后,晶粒显著增大,但尺寸仍为纳米级;电沉积纳米晶镍经过200和300 ℃的退火处理,有利于改善抗高浓度NaOH和NaCl腐蚀液腐蚀的能力;纳米晶镍在NaOH和NaCl腐蚀液中的耐蚀性能不同,Cl^-对纳米晶镍的腐蚀性远高于OH^-腐蚀。     

微波加热高碳铬铁粉固相脱碳动力学

采用微波加热对高碳铬铁粉固相脱碳进行了动力学研究.以碳酸钙粉为固体脱碳剂,按高碳铬铁粉中碳与碳酸钙粉完全分解后产生的CO₂的摩尔比为1︰1和1︰1.4混合,在微波场中对内配碳酸钙高碳铬铁粉加热到不同温度并保温脱碳一定时间,测定其碳含量并计算固相脱碳反应的表观活化能.实验表明:提高内配碳酸钙的比例,物料的脱碳率会相应提高,但混合物料的微波加热升温速率会变小;对于脱碳摩尔比相同的物料,随着脱碳温度的提高和保温时间的延长,物料的脱碳率随之提高.当1200℃保温脱碳60 min时,两种脱碳摩尔比下物料脱碳效果最好,脱碳率分别为65.56%和82.96%.微波场能促进高碳铬铁粉中碳的活化扩散和CO₂的吸附扩散.微波加热内配碳酸钙高碳铬铁粉固相脱碳反应近似为一级反应,脱碳反应的表观活化能为68.43 kJ·mol-1.      

MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED

报道用自行研制的LP－MOVPE设备,在蓝宝石（α－Al2O3)衬底上生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGsN双异质结构以及InGaN/GaN量子阱结构的LED,其发射波长分别为430－450nm和520－540nm。     

MOVPE 生长 InGaN/GaN 单量子阱绿光LED

采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法,生长出InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下,在20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流的增大递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的绿光LED。     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.     

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED     

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增     

InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

报道了用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术在蓝宝石衬底上生长出以双掺Ｚｎ和Ｓｉ的ＩｎＧａＮ为有源区的蓝光和绿光ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结结构,并研制成功发射波长分别为４３０－４５０ｎｍ和５２０－５４０ｎｍ的蓝光和绿光ＬＥＤ。据查,这是国内首次有关六方ＧａＮ基绿光ＬＥＤ的报道。     

过热器三元组合焊接接头高温力学性能及成分分布

为提高火力发电厂电站锅炉过热器管铁素体钢和奥氏体钢焊接接头的使用寿命,提出并研制了铁素体钢／镍基焊缝／奥氏体钢三元组合接头,通过对两种焊接接头热模拟对比分析,三元组合接头对改善接头应力分布,抑制碳扩散和提高持久强度具有明显的效果     

K2Ti6O13纳米线的合成及微观结构分析

通过TiO2与氢氧化钾溶液反应成功制备出Ф9nm、长度约0．6～2μm的结晶度良好的K2Ti6O13纳米线材料。应用X射线衍射仪、高分辨电子显微镜和电子能量损失谱分析了纳米线的微观结构。结果表明纳米线的结构属于K2Ti6O13,类型,晶体结构属单斜晶系,空间群为C2／M,具有层状结构,K2Ti6O13,纳米线的生长方向平行于[010]晶向。