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141.
为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投影曝光以及电子束曝光方法。虽然已出售用接触曝光方法制作的1微米栅 GaAs SBFET,已经获得超过以前的硅双极晶体管高频低噪声特性,仍希望进一步缩短栅长。我们采用改良的接触曝光方法试制了0.5微米栅结构的 FET,已证实可以良好地批量生产。试制的 FET 得到了空前良好的高频低噪声特性,最高振荡频率 f_(max)为85千兆 相似文献
142.
Ad-hoc网络多径路由协议的研究与设计 总被引:2,自引:0,他引:2
对目前典型的Ad-hoc网络按需多径距离矢量路由协议(AOMDV)进行了研究和优化设计.优化后的协议(Op-AOMDV)保留了原协议中建立多径无环路由的思想,改进了原协议中建立链路不相交路由等不完善的部分,给出了原协议中未提及的细节,降低了协议的复杂性,提高了协议的可实现性. 相似文献
143.
144.
高级技工教育作为国家职业技术教育的重要组成部分,承担着培养技能型人才的重任。在崇尚技能、重视职业教育的今天,高级技工学校的地位和作用尤为重要,肩负的使命也更加特殊。所以,高级技工学校必须利用一切可能条件尽快实现信息化,才能适应当今信息社会发展的要求。高级技工教育要实现信息化,不仅意味着要建设信息化基础设施, 相似文献
145.
146.
采用自制的BA-MMA-AA三元共聚物和四异丙氧基钛(TPT)对纳米Si3N4进行表面包覆处理,利用红外光谱分析、TEM、粒径分布、接触角等手段进行表征,结果表明:在纳米Si3N4粉体的表面包覆了有机物,并与其发生了化学作用,有效地阻止了纳米Si3N4粉体的团聚;处理过的Si3N4粉体粒径明显减小,在有机溶剂中的分散稳定性显著增加,表面自由能明显降低,改善了纳米Si3N4粉体在聚合物基体中的分散。 相似文献
147.
上期本文介绍了3GPP提出的WCDMA的长期演进(LTE,Long Term Evolution)研究工作的开展背景、LTE系统的主要需求指标、以及LTE基本传输技术和多址技术、宏分集、帧结构和系统参数设计三个方面的物理层技术。在本期的文章中,我们将继续介绍LTE物理层的参考符号设计、上行控制信道复用、调制编码等十四个方面的关键技术,并阐述了相对HSPA系统LTE在网络架构所做的重要改变、以及近期LTE的工作进展,最后还探讨LTE对整个通信业界带来的影响。 相似文献
148.
为了研究低热应力键合工艺,提出了一种将表面活化直接键合与激光局部键合相结合的键合技术。首先采用RCA溶液对键合片进行表面亲水活化处理,并在室温下成功地完成了预键合。然后在不使用任何夹具施加外力辅助的情况下,利用波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd:YAG连续式激光器,实现了激光局部键合,并取得了6.3MPa~6.8MPa的键合强度。结果表明,这种以表面活化预键合代替加压的激光局部键合技术克服了传统激光键合存在的激光对焦困难,以及压力不匀易损害键合片和玻璃盖板等缺点,同时缩短了表面活化直接键合的退火时间,提高了键合效率。 相似文献
149.
本刊讯8月21日,四川省人大常委会副主任韩忠信、省人大常委会办公厅主任张渝田、省人大常委会机关党委书记曾平一行到中国移动四川公司视察。韩忠信一行参观了公司的高升枢纽后,前往高新 相似文献
150.
本刊讯9月6日,值中秋、国庆来临之际,中国移动四川公司总经理李华、副总经理陈炳澜、工会主席邓泽明等率相关部门负责人来京慰问了四川移动全体援奥员工。 相似文献