水性树脂的消光规律与配方分析

通过TS100消光剂针对9种高档树脂乳液或分散液,包括苯丙、纯丙、聚氨酯、丙烯酸聚氨酯等和它们的混合物进行了消光实验,提出了确定经济填加量的方法。实验结果表明,消光剂在水性树脂体系中表现出与溶剂型体系不同的消光规律。     

HIPS／OMMT纳米复合材料的性能研究

采用熔融插层法制备出了高抗冲聚苯乙烯(HIPS)/有机改性蒙脱土(OMMT)纳米复合材料,研究了OMMT用量对复合材料力学性能、阻燃性能和热稳定性的影响,并分析了OMMT在高抗冲聚苯乙烯基体中的分散状态.结果表明,OMMT的加入有助于提高高抗冲聚苯乙烯基体的力学性能、阻燃性能和热稳定性.熔融插层法可以使高抗冲聚苯乙烯的大分子链有效地插人到OMMT的片层之间.     

HIPS/CG-ATH纳米复合材料界面改性研究

采用熔融共混法制备出了高抗冲聚苯乙烯(HIPS)/高抗冲聚苯乙烯接枝马来酸酐(MHIPS)/CG-ATH纳米复合材料,研究了MHIPS的加入量对复合材料阻燃性能和力学性能的影响,利用透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)分析了纳米CG-ATH在HIPS基体中的分散性及其与HIPS基体间的界面粘接性.结果表明MHIPS的加入可以显著改善复合材料的阻燃性能和力学性能,并且有助于强化纳米CG-ATH在HIPS基体中的分散性及其与HIPS基体间的界面粘接性.     

旋转填充床内支撑对液膜控制传质过程的影响

目的 研究旋转填充床（RPB）中填料内支撑对液膜控制传质过程的影响规律,为RBP进一步工业化作理论准备。方法 采用水中的氧被氮气解吸这一典型的液膜控制传质体系,计算传质单元数（NTV)来作为目标函数表征传质效果的好坏。结果 找出了转速、液量对传质的影响规律,以及在有内支撑时,内支撑的板的厚度、开孔形状、内支撑开孔率、安置在填料中位置对传质的影响规律。结论 实验的结果对旋转床的应用开发有指导意义。     

用超重力法制备纳米二氧化硅

以 ＣＯ２气体和水玻璃为原料,采用超重力技术制备纳米级二氧化硅,研究了由超重力反应器碳化沉淀法制备二氧化硅的实验条件对产品粒径的影响,用 ＴＥＭ、 ＩＲ、 ＸＲＤ、 ＤＴＡ—ＴＧ等手段表征了纳米二氧化硅的性能,结果表明,二氧化硅颗粒平均粒径为１７～３０ｎｍ,粒度的分布范围比较窄     

核壳结构型纳米CaCO3-SiO2.nH2O复合粒子的制备

在搅拌槽式反应器中,以用超重力法合成的纳米 ＣａＣＯ３和 Ｎａ２ＳｉＯ３为原料,用溶胶－凝胶技术制备具有核壳结构的纳米 ＣａＣＯ３－ＳｉＯ２·ｎＨ２Ｏ复合粒子　用 ＸＰＳ、 ＴＥＭ、 ＸＲＤ等方法对粒子的化学组成、形貌、晶型等作了分析和表征     

超重力反应结晶法制备纳米立方形CaCO_3颗粒Ⅰ.实验研究

以Ｃａ（ＯＨ）２悬浊液和ＣＯ２气体在超重力反应器（旋转填充床反应器）中进行碳化反应制备纳米立方形ＣａＣＯ３为研究对象,中试实验研究了超重力加速度ｇｒ、液体循环量Ｌ、气体流量Ｇ、Ｃａ（ＯＨ）２初始浓度等操作条件对产物粒度及其分布、碳化反应时间的影响。结果表明,利用超重力反应结晶法可以制备出平均粒度为１５－４０ｎｍ、分布较窄的立方形ＣａＣＯ３;碳化反应时间是传统方法的１／４－１／１０。     

纳米氢氧化镁表面改性研究

主要研究了纳米氢氧化镁湿法表面改性的工艺过程,将改性前后的粉体添加到软质PVC体系中测定该体系的氧指数、拉伸强度和断裂伸长率,同时与普通氢氧化镁粉体进行了比较。实验结果表明：在本实验条件下最佳的改性剂为硬脂酸锌,改性时间为0．5h,改性温度为85℃,改性剂用量为5％(质量分数);改性纳米氢氧化镁粉体比普通氢氧化镁和未改性纳米氢氧化镁粉体提高了软质PVC体系的阻燃性能,同时降低了对体系机械力学性能的影响。     

电容式湿度传感器--交联的聚甲基丙烯酸甲酯的感湿性能

运用本体聚合法合成了聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）和分别用三种交联剂交联的ＰＭＭＡ。以ＰＭＭＡ和我联的ＰＭＭＡ为感湿膜制成电容式湿度传感器，在１０％～９０％ＲＨ范围内，这些传感器的电容随相对湿度呈线性规律变化。交联的ＰＭＭＡ传感器具有正的温度系数，但与乙酸丁酸纤维素（ＣＡＢ）传感器相比，ＰＭＭＡ的温度依赖性更小。交联的ＰＭＭＡ传感器能耐有机蒸气，在饱和丙酮蒸气中旋转３０ｍｉｎ后，３次测试循环后的９０     

电容式湿度传感器电容式湿度传感器——交联的聚甲基丙烯酸甲酯的感湿性能

运用本体聚合法合成了聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）和分别用三种交联剂交联的ＰＭＭＡ。以ＰＭＭＡ和交联的ＰＭＭＡ为感湿膜制成电容式湿度传感器，在１０％～９０％ＲＨ范围内，这些传感器的电容随相对湿度呈线性规律变化。交联的ＰＭＭＡ传感器具有正的温度系数，但与乙酸丁酸纤维素（ＣＡＢ）传感器相比，ＰＭＭＡ的温度依赖性更小。交联的ＰＭＭＡ传感器能耐有机蒸气，在饱和丙酮蒸气中放置３０ｍｉｎ后，３次测试循环后在９０％ＲＨ下传感器电容的变化约为１％。在高温、高湿、油烟气等各种苛刻环境中放置预定时间后，传感器的漂移一般在±２％ＲＨ范围内。