CIS太阳电池材料的研究进展

综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况.目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料,介绍了用这几类材料制作的太阳电池的特点,重点介绍了其光电转换效率.在薄膜电池材料中重点综述了铜铟硒(CIS)基薄膜太阳电池的研究进展.由于制约太阳电池发展的关键问题是制备成本高和转换效率低,提出了采用化学法制备CIS基薄膜材料及其梯度带隙,该方法将开辟高性能CIS基吸收层薄膜材料及其器件制备的低成本新途径.     

自倍频晶体的研究和激光应用进展

自倍频晶体是一种兼具激光特性和非线性特性的复合功能晶体.从非线性光学的基础理论和激光自倍频晶体的基本要求出发,综述了不同稀土离子掺杂的非线性基质LiNbO3、YAB、LCB和ReCOB( Re=Y, Gd)晶体的发展历程,重点总结了近年来在激光自倍频晶体中取得的进展.Nd:GdCOB晶体的545 nm自倍频绿光功率突破...     

SiC单晶片的超精密加工

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.     

氘化掺杂TGS(DATGS)晶体生长与完整性

本文着重说明从重水溶液中采用慢降温法生长氘化掺杂TGS(DATGS)晶体的实验。然后,借助于光学显微镜、X射线形貌术对晶体内不同类型的缺陷及其分布进行了观察研究,并与TGS晶体作了对比,发现DATGS晶体的缺陷较为严重,其严重程度依赖于生长参数。最后,为了改善DATGS晶体的完整性,作者意图建立晶体的完整性与其生长参数间的联系。     

Rb0.3K0.7TiOPO4晶体的生长和性质研究

了Ｒｂ０．３Ｋ０．７ＴｉＯＰＯ４大单晶的生长和性质测量。改进了生长工艺，获得高质量大尺寸单晶。测量了晶体的折射率、介电常数、热电系数、压电系数、弹性系数、弹性系统的温度系数、弹光系数、倍频效率及抗光伤阈值等。讨论了掺杂对晶体生长的影响及采取的相应措施。     

ErCa4O(BO3)3晶体的光谱分析

采用Czochralski法生长了均匀透明的ErCa4 O(BO3 ) 3 (简称ECOB)晶体 ,测量了其室温吸收谱 ,并与 0 1mol的ErCl3 溶液的室温吸收谱进行了比较。根据Judd Ofelt理论 ,拟合出唯像强度参数 :Ω2 =1 6 73× 10 -2 0 cm2 ,Ω4=1 35 6× 10 -2 0 cm2 ,Ω6=0 15 6× 10 -2 0 cm2 。计算了各能级的辐射跃迁几率 AJ,J′,振子强度fJ ,J′,辐射寿命τ,荧光分支比 βJ′ 等 ,并根据这些光学参量 ,讨论了该晶体的部分性能和应用前景     

光折变晶体K(Ta,Nb)O_3的熔盐法生长

本文首次报道在以K_2O-B_2O_3为主要成分的助熔剂体系中,用熔盐法在较低温度(T_(max)<1200℃)下成功地生长出K(Ta,Nb)O_3晶体,初步测量了生成晶体的一些性质。发现含钽量大于一定量后,K(Ta,Nb)O_3晶体在室温下以立方相存在,在生长温度至室温间无相变。本文还讨论了不同体系和添加剂对KTN晶体生长的影响。     

基于石榴石结构激光晶体的双波长激光输出

太赫兹波段激光由于其长波长、低光子能量等特点已经在科学和技术发展中展现了诱人的前景,成为当今激光研究的一个重要方     

掺铈铌酸锂晶体的生长和表征

采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3（Ce：CLN）晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700～3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的＋5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce：CLN晶体的A1（TO4）模波数和A1（TO1）模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。     

用高破坏阈值半导体可饱和吸收镜进行Yb:YAB激光器锁模的研究

掺Yb^3 介质作为1μm波段全固态超短激光脉冲发射最有前途的激光介质受到普遍关注。与掺Nd^3-介质相比它具有更宽的发射谱线，因此更容易实现1μm附近宽调谐激光运转以及超短脉冲的产生；而它的吸收波长与InGaAs二极管激光器相匹配，可用于研制紧凑廉价的半导体激光抽运全固态激光器。此外，掺Yb^3 介质能级结构简单，避免了激发态吸收、浓度猝灭和上转换等不必要的激光损耗。