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121.
采用投切电阻抑制特高压GIS中特快速暂态过电压   总被引:2,自引:0,他引:2  
气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)中隔离开关的操作会产生特快速暂态过电压(VFTO),可能导致GIS本体及其相连的设备(如变压器)绝缘损坏,并可能产生电磁干扰,影响二次设备。国家电网公司正在建设的中国1000kV交流特高压试验示范工程中,晋东南变电站采用GIS。计算表明,在不采取VFTO限制措施的情况下,晋东南变电站GIS本体承受的VFTO较高。为限制VFTO,建议在晋东南GIS隔离开关装设投切电阻。若采用500Ω投切电阻,VFTO峰值可由2.6p.u.下降到1.4p.u.。分析装设投切电阻对VFTO频率特性、陡度、陡波上升/下降幅度的影响,仿真隔离开关操作过程中多次重燃现象,并确定多次重燃过程中隔离开关投切电阻吸收的能耗。  相似文献   
122.
面向公司级的电厂运行信息系统的研究开发   总被引:1,自引:0,他引:1  
对发电集团/公司层面上的电厂运行信息系统进行了研究开发,对实现该系统的技术方案、技术特点、系统功能和工程应用等方面进行了研究介绍.公司级电厂运行信息系统应具备主要运行参数的监管、主要性能参数的计算、主要参数的耗差分析、远程专家系统、技术资料数据库的支持等功能,同时该系统在电厂的接纳和功能的扩展上是完全开放的,在此基础上可以实现集团内数据平台的统一规划和远程技术服务体系的建设.  相似文献   
123.
对新型内热式金属镁冶炼真空炉炉内温度机理进行了研究,采用迦辽金法和环形区域矩形化等方法,推导得出内热式真空炉的温度分布方程,从理论上给出了真空冶炼炉内温度传递的影响因素.并指出采用迦辽金法和有限差分法可以求解温度矩阵,可以得出各个时刻的温度场.  相似文献   
124.
邢妍  王晓刚 《材料导报》2007,21(Z2):444-446
对无限微热源法制备β-SiC粉体的冶炼炉进行温度机理研究,根据传热形式、传热模型推导出无限微热源冶炼炉的导热微分方程,采用Galerkin法对方程进行变分并得出平面非稳态导热温度场分布方程,利用有限元思想对方程进行推导,再采用有限差分方法求解温度矩阵以得到炉内各个时刻温度的变化情况.  相似文献   
125.
超临界汽轮机组变工况下运行参数目标值的计算分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
王晓刚  胡洪华  庞顺  王洪彦 《热力发电》2006,35(5):16-18,37
在研究超临界汽轮机组的热力系统及运行特点的基础上,提出变工况下超临界汽轮机组各运行参数目标值的计算模型,并对国产某600 MW超临界汽轮机组进行计算分析。结果表明,所建模型切实可行,效果良好,能够指导机组的优化运行。  相似文献   
126.
提高电力变压器抗短路能力措施   总被引:1,自引:1,他引:0  
王晓刚 《电工技术》2003,(12):17-18
分析了变压器短路时绕组受力分布情况,并结合实例介绍绕组变形的常见形式及提高变压器抗短路能力的措施。  相似文献   
127.
单晶相β-SiC改性大电机防晕材料研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究了β-SiC-环氧脂漆复合防晕涂层的非线性导电性。表明小粒径β-SiC非线性好,粒径越小阻越低非线性系数越大,粒径在14-21μm之间时非线性最好。与粒径相近的α-SiC相比,β-SiC防晕涂层的非线性系数随粒径增大或合成温度提高而变大;同粒度条件下则随β-SiC含量提高而增大,防晕电压升高。β-SiC调节α-SiC防晕涂层的电阻率和非线性可有效地提高材料的非线性,改善防晕效果。  相似文献   
128.
用硅质煤矸石合成SiC的研究   总被引:16,自引:4,他引:12  
分别以硅质煤矸石、石英砂与弱粘煤、无烟煤作原料用Acheson工艺合成了SiC,并研究了硅质煤矸石的微观结构。SEM研究表明:硅质煤矸石中SiO2呈球状被包容于碳有机质薄壳中,SiO2球体直径小于10μm,有机质厚度小于5μm,据此提出了硅质煤矸石参与合成SiC的反应过程模型。认为硅质煤矸石的微观结构适于SiC合成反应在较低温度下快速彻底地进行。实验表明:硅质煤矸石是Acheson法合成工业SiC理想的天然原料,用其代替石英砂和大部分价格较贵的石油焦炭或资源较匮乏的无烟煤,可实现废弃物资源化与控制污染的目的,并可降低能耗和生产成本。  相似文献   
129.
新型大电机防晕材料研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究表明小粒径β-Si C非线性好 (粒径 14~ 2 1μm时最好 ) ,与粒径相近的 α-Si C相比 ,β-Si C的非线性系数大、电阻率低。β-Si C防晕涂层的非线性系数随粒径减少或合成温度提高而变大 ;同粒度条件下 ,则随 β-Si C含量提高而增大 ,防晕电压升高。β-Si C调节 α-Si C防晕涂层的电阻率和非线性可有效地提高材料的非线性 ,改善防晕效果  相似文献   
130.
多热源SiC合成炉温度场变化规律的模拟与计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
碳化硅合成炉具有平面非稳态有内热源的温度场特点, 利用ANSYS软件对多热源炉进行温度场数值计算.以面为对象分析了单个热源对整体温度场的贡献, 以点为对象研究了面的中心 点温度随时间的变化规律, 以线为对象研究了面的中心线的温度随距离的变化规律.研究发现温场的叠加和热源之间的屏蔽是多热源炉节能降耗增产的原因.  相似文献   
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