导电胶粘剂的研究进展

导电胶粘剂的发展对电子技术的发展有着极其重要的意义.介绍了导电胶粘剂的分类、组成、导电机理和研究现状,并指出了导电胶粘剂在实际应用中需要解决的问题.     

Fe离子掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响

笔者主要研究了Fe³⁺离子掺杂引入对ZnO基压敏电阻微观结构及综合电气性能的影响。实验结果表明，随着铁离子掺杂量的增加，ZnO压敏电阻的电位梯度持续不断升高，非线性系数先升高而后降低，漏流先减小再增大，压比逐渐增加。分析认为，掺杂少量Fe³⁺时，可作为受主元素提高表面态密度，从而使非线性系数升高；随着掺杂量的增加，Fe³⁺转变为Fe²⁺进入ZnO晶粒内部，作为替位离子取代了部分Zn²⁺,由于r(Fe²⁺)>r(Zn²⁺),该取代产生了压应力对ZnO晶格产生挤压，减小晶格空隙，从而阻止了其他掺杂离子的进入，表面态密度降低，非线性系数降低。     

无机高阻层对ZnO压敏电阻综合性能的影响

探究了涂覆不同Cr₂O₃/MgO比例无机高阻层对ZnO压敏电阻的微观结构以及电学性能的影响。通过研究发现，D2电阻片具有最佳的电气性能，其电位梯度E为222.5 V·mm^-1,非线性数α为63.24,泄漏电流I_L为0μA,残压比K为1.69。最高可承受2 ms方波脉冲电流大小为300 A,老化系数Kct为0.85,且起始功率低，表现出良好的电学性能，更适合在电路中长期工作。     

镓离子掺杂量对ZnO压敏电阻性能的影响

研究了不同含量Ga³⁺掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga³⁺没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga³⁺掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga³⁺掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。     

In2O3掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响

提出了掺杂In₂O₃对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In₂O₃的用量，同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现，随着In₂O₃含量的增加，低压ZnO压敏电阻的电气性能得到提升，但是过量的In₂O₃却会使其残压比和正反极性增加。I-3电阻片具有最佳的电学性能，其电位梯度为115.5 V·mm^-1,漏电流为1.34μA,非线性系数α为68.1,以及残压比为2.20。其耐8/20μs、10 kA浪涌冲击正面变化变化率为-0.2%,反面变化率-4.8%。     

纳米复合粉体提高传统有机绝缘漆性能研究

研究了纳米复合粉体提高绝缘性能的方法．采用高频老化实验对变频漆的耐变频性能进行测定，结果表明，纳米复合绝缘材料在变频电机中使用寿命比普通绝缘材料提高7倍以上，且纳米颗粒分散工艺对材料性能影响较大．还对纳米材料提高绝缘材料耐变频性能的机理作了初步探讨，研究了氧化锌阀片侧面纳米复合绝缘漆的耐大电流冲击绝缘性能，结果表明，经纳米改性的传统侧面绝缘漆的耐大电流冲击性能超过1EC-60099-4国际标准．