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61.
四轴联动加工目前在制造业的应用越来越广泛,本文以三维螺旋槽的四轴联动加工为例,以MasterCAM软件为平台,在螺旋槽的二维展开图基础上,利用MasterCAM自带的置换轴法和刀具路径的旋转复制功能,将普通的三轴二维外形铣削刀具路径转换成四轴的螺旋槽刀具路径,重点介绍了MasterCAM四轴数控加工的方法与技巧,希望能为读者提供参考借鉴作用.  相似文献   
62.
针对三(三苯基膦)氯化铑合成过程中产生的含铑有机废液的特点,采用火-湿联用工艺成功回收废液中的铑,回收率约达99%.该工艺的主要工序包括:蒸馏回收乙醇和除去水分、焚烧灰化、氯化、净化、氢还原,最终获得纯铑粉.  相似文献   
63.
本文研究了工作温度和负载变化对换能器谐振频率的影响规律并设计了反馈控制系统以实现谐振频率跟踪。 首先基 于磁致伸缩换能器机电等效电路,推导了以工作温度 T 和负载 F 为自变量的谐振频率计算模型,搭建了温度可控、负载可调的 谐振频率测试系统;然后对实验测试数据进行分段线性拟合和曲面数值拟合,得到了满足线性相关度和曲面拟合优度要求的谐 振频率关于温度和负载变化的二元函数模型,进而确定了谐振频率计算模型的相关参数;最后依据计算模型设计了反映温度和 负载变化的频率跟踪反馈控制系统并测试了换能器输出特性,结果表明换能器的振动加速度幅值平均提高了 31. 11% ,且谐振 频率能跟随温度和负载的变化而自动调整,实现高效率稳定运行。  相似文献   
64.
采用树脂粘结法制作了L-T型(磁致伸缩层的磁化方向与压电层的极化方向相互垂直)Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状复合磁电传感器。采用等效电路法对磁电系数进行了详细推导,得到磁电系数方程。磁电系数方程显示磁电系数决定于Terfenol-D与PZT的性能参数和磁电传感器中两种材料的体积比。为此从理论和实验上分析了偏置磁场、传感器中两种材料所占的体积比以及驱动磁场频率对磁电系数的影响规律。结果表明偏置磁场、传感器中两种材料所占的体积比和驱动磁场频率对磁电传感器磁电系数的影响都很明显,并且磁电系数的计算结果与实验结果一致,对于所制作的复合磁电传感器,相同条件下磁电系数的计算值与实验值的相对差值小于6%。  相似文献   
65.
66.
周严  李柯 《电测与仪表》2003,40(7):48-51
遥测系统中信道的资源是十分有限的,在多参量遥测系统中采用通用型的数据采集系统将导致信道资源的浪费。在这种情况下,采用了可编程多采样率数据采集系统。目前在遥测系统中使用的多采样率数据采集系统具有专用性,不能用于常规的数据采集。因此,我们设计了一种新型的多用途程控采样模式遥测数据采集系统,它既可满足遥测的需要又适用于常规的数据采集。中论述了应用多采样率的原因、系统的结构及工作原理,并详细地介绍了多采样率的实现方法。  相似文献   
67.
全国《良物成分表》是我国食物与营养方面的重要基础数据表。本文依据全国《食物成分表》提供的数据和美国《疾病与营养》一书,结合医院的临床实践,研制出为医院病人服务的《食谱营养成分表》,它以病人为对象,为营养治疗和配合医疗提供了重要数据。  相似文献   
68.
龙开口水电站厂房施工过程中,下游围堰拆除后厂房各机组间结构缝产生漏水,经过对漏水原因的分析,采用在结构缝两道止水间灌注聚氨酯化灌材料的方法进行堵漏处理,处理效果明显。主要对该结构缝渗漏处理的过程进行了详细阐述,为类似工程处理提供了借鉴。  相似文献   
69.
缓冲区溢出漏洞是一类严重的安全性缺陷。目前存在动态测试和静态分析技术来检测缓冲区溢出缺陷:动态测试技术的有效性取决于测试用例的设计,而且往往会引入执行开销;静态分析技术及自动化工具已经被广泛运用于缓冲区溢出缺陷检测中,然而静态分析由于采取了保守的策略,其结果往往包含数量巨大的误报,需要通过进一步人工确认来甄别误报,但人工确认静态分析的结果耗时且容易出错,严重限制了静态分析技术的实用性。符号执行技术使用符号代替实际输入,能系统地探索程序的状态空间并生成高覆盖度的测试用例。本文提出一种基于目标制导符号执行的静态缓冲区溢出警报确认方法,使用静态分析工具的输出结果作为目标,制导符号执行确认警报。我们的方法分为3步:首先在过程间控制流图中检测静态分析警报路径片段的可达性,并将可达的警报路径片段集合映射为用于确认的完整确认路径集合;其次在符号执行中通过修剪与溢出缺陷疑似语句无关的路径,指导符号执行沿特定确认路径执行;最后在溢出缺陷疑似语句收集路径约束并加入溢出条件,通过约束求解的结果,对静态分析的警报进行分类。基于上述方法我们实现了原型工具BOVTool,实验结果表明在实际开源程序上BOVTool能够代替人工减少检查59.9%的缓冲区溢出误报。  相似文献   
70.
郝延明  蔡宏琨  周严  林波  张德贤  林列 《功能材料》2004,35(Z1):1870-1872
对玻璃衬底上采用PECVD方法在低温条件下制备的太阳电池的各相关层材料的性质在经历一定的温度交变周期以后的变化情况进行了研究.研究结果表明(1)P、N层材料(μc-Si)在经历温度交变试验过程以后,在测量误差范围内其光、暗电导率无明显变化;(2)Ⅰ层材料(M-Si)在经历温度交变试验过程以后,其光、暗电导率先略有增加(小于5个热循环周期时),之后(大于5个热循环周期时)基本保持恒定;(3)阻挡层ZnO薄膜在经历温度交变试验过程以后,其方块电阻不变但透射系数有所增加,反射系数基本不变;(4)电极ITO在经历温度交变试验过程以后,其方块电阻不变但透射系数有所增加.  相似文献   
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