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971.
972.
以对氨基苯磺酰胺、双氧水和盐酸为原料合成3,5二氯对氨基苯磺胺,研究了原料配比、催化剂AlCl3的滴加方式、H2O2的滴加时间对收率的影响,得出最佳工艺条件为:n(C6H6N2O2S)∶n(30%HCl质量分数)=1∶13.7,7gAlCl3晶体溶于剩余的盐酸中,于H2O2滴加一半时加入,H2O2的滴加时间为40min。产品的收率可达81.0%,熔点为204~205.5℃。 相似文献
973.
974.
975.
976.
考虑内外扩散以及副反应的影响,采用Fluent软件,建立了选择性催化还原(SCR)脱硝反应单孔催化剂三维模型,并以E-R反应动力学为基础,研究了运行参数和催化剂壁厚对脱硝效率和SO_2转化率的影响。结果表明:SCR脱硝反应工作温度区间较宽,为553~653K;当温度超过653K,由于副反应的加剧,脱硝效率显著下降;在催化剂中沿烟气流向温度略有升高,但放热现象不明显;随着氨氮摩尔比的升高,脱硝效率逐渐升高,SO_2的转化率降低,氨逃逸增加;随着空速的增加,脱硝效率和SO_2的转化率均降低;SO_2转化率随催化剂壁厚的增加而线性增加,但由于内扩散的限制,脱硝效率随催化剂壁厚的增大而显著降低。 相似文献
977.
MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变至10μm的V形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅ICP刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次ICP刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm。 相似文献
978.
传统的用好、修好设备的管理指导思想已不适应企业生产经营目标的需要,把传统的设备管理延伸至设备的整个寿命周期,扩展到技术领域。这是现代化设备管理的必然趋势。 现代化的设备管理表现为树立正确的设备管理指导思想;建立设备综合管理体系;配置先进的设备管理手段;采用适用的修理方式和维修新技术以及与之相辅的培训专业管理人员等。 相似文献
979.
980.
机械加工夹具的使用过程中,清除夹紧定位面上的切屑占有相当多的辅助时间,影响生产率的提高。 图1是我们设计制造的一种能防止切屑进入定位夹紧面而又装卸工件灵活的封闭式不停车铣轴夹具,使用情况良好,介绍如下。 为了保证夹具的加工精度,减少使用过程中的变形,该夹具可加工为相同的两套,一起固定在铣床工作 相似文献