染印照片的制作过程

染印法是将染料转印到涂有明胶的纸基上制作彩色影像的一种方法。早期的彩色感光材料,由于负一正系统的彩色照相尚未问世,业余摄影爱好者要得到一张层次丰富,色彩鲜艳的照片,就只能依靠染印的方法。在彩色显影法以前,染印法就被用于制作彩     

未知环境下移动机器人自主搜索技术研究

将全区域搜索技术与基于动态模板匹配的目标识别方法相结合，提出了一种适用于未知环境的目标物体自主搜索方法，实现了移动机器人在陌生环境下的目标搜索任务．具体而言，移动机器人利用声纳和全景摄像头作为传感器来感知周围环境，并利用模糊逻辑方法来进行局部路径规划，在此基础上通过全区域搜索技术实现对空间的遍历，并采用动态模板匹配方法来实现目标物体的识别及其方位的确定．本文所提出的目标物体自主搜索方法可以从任意位置开始进行，算法对于陌生环境具有良好的适应性．论文最后通过实验结果证实了算法的良好性能．     

一种空间域自适应去块效应算法

基于块离散余弦变换的图像压缩编码,在低比特率时其重构图像的块边界上会产生严重的方块效应。提出了一种空间域的自适应去块效应算法。首先把块效应建模成阶梯函数,然后根据判断准则把图像块分成平滑块,纹理块和边缘块。对平滑块,首次导出了块效应强度的表达式,然后根据块效应强度和平滑度进行自适应平滑滤波;对边缘块和纹理块,采用简单的Sigma滤波器对块边界周围的像素滤波。大量的仿真实验结果表明提出的算法有优越的去块效应性能。     

IP over WDM网络中一种新型虚拓扑构造算法

对IP over WDM的虚拓扑设计算法进行了研究，选择网络整体流量的均衡性作为优化目标，提出了一种新型的虚拓扑构造算法。在算法中，选择负载分布方差作为评价流量均衡性的指标，并给出其定义和计算方法。主要针对拥塞概率性能，在光层和IP层将提出的新型虚拓扑构造算法与其他算法进行比较。在光层的算法比较部分，选择负载均衡启发式路由算法（RLBH，routing with load balancing heuristics）与提出的算法进行比较；在IP层的算法比较部分，选择固定路径最小拥塞路由算法（FPLC，fixed-path least-congestion）与提出的算法进行比较，并对比较结果进行了讨论。比较结果显示在拥塞概率性能方面，提出的新型虚拓扑构造算法优于RLBH算法和FPLC算法。     

磁控反应溅射氧流量变化对TiO2薄膜影响的实验研究

通过中频交流磁控溅射设备,利用金属Ti靶制备出了有一定厚度的、质量较好的TiO2薄膜,TiO2薄膜被沉积在玻璃基底上.利用各种分析测试手段对其性能进行了测试,初步探讨了不同氧流量对TiO2薄膜的影响.实验表明,不同氧流量下制备的TiO2薄膜的亲水特性发生了变化.     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。     

E—12环氧树脂的合成及其在粉末涂料中的应用

介绍了Ｅ－１２环氧树脂的合成工艺及该树脂在粉末涂料中的应用。探讨了温度、催化剂的选择对产品质量的影响，讨论了环氧树脂的内在指标对粉末涂料质量的影响。     

免拆模板网的性能及其在水电工程中的应用

文章介绍了SM免拆模板网的性能特点,以及在水电工程中的应用,包括混凝土结构施工缝和不同强度混凝土的施工。对具体施工有一定参考意义。     

瑞士推出亚麻与金属丝混纺面料

据海外消息 ,总部设在瑞士的Ｓｃｈｏｃｌｌｅｒ公司在运动服、休闲服和各种具有特殊功能的服装面料的生产方面积累了丰富的经验 ,并不断进行创新。最近推出一种亚麻与金属丝混纺面料。这种面料具有良好的光泽和特殊风格 ,与金属丝混纺后 ,亚麻的折皱性被改善 ,并产生特殊光泽。织物的外观是由最后一次处理决定的 ,如果对织物进行“重塑”则其外观也相对改变。此外 ,在Ｓｃｈｏｅｌｌｅｒ公司开发的新产品中还有羊毛 /金属丝、合纤 /金属丝以及用纯化纤原料制成的具有天然外观的仿毛皮面料、珠皮呢以及传统的亚麻 /棉、亚麻 /羊毛织物等瑞士…     

GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现

<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.