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学科分类
工业技术 | 527篇 |
出版年
2023年 | 6篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 15篇 |
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2005年 | 10篇 |
2004年 | 24篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
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采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量. 相似文献
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83.
目前,滁州供电公司220 kV线路主保护通道主要为高频通道和光纤通道。由于高频保护原理是闭锁式保护,每天都要进行交换试验;因此在现场实际运行中,高频通道维护量较大。随着集控站不断建设,各变电站改为相继无人值守,现场的高频通道试验方法已不能满足无人值守的要求;为此,研究建立了远程通道交换试验系统,对传统高频通道交换试验系统进行改造,取得了良好效果。 相似文献
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85.
采用简单的超声、抽滤和水合肼化学还原相结合的方法制备硅/石墨烯基自支撑薄膜,系统研究了硅含量对硅/石墨烯复合材料电化学性能的影响。结果表明:通过在石墨烯水凝胶的片层之间插入纳米硅颗粒,可以有效地控制硅体积变化,增加该复合膜的机械强度并提高其导电性。提高硅/石墨烯复合材料中硅含量的比例可以提升其可逆比容量和首次库仑效率,当硅质量分数为53%时,复合膜在0.1C倍率下的可逆比容量及首次库仑效率分别达到945.6mA·h/g和64.8%(纯硅的229倍和9倍);继续提高硅含量的比例,可以提升其循环寿命(循环50次容量保持率60.9%、质量分数为67%的Si),但材料比容量有所下降,说明石墨烯在稳定硅基复合材料电化学性能方面发挥着非常重要作用。 相似文献
86.
为研究蜂房哈夫尼亚菌(Hafnia alvei)Ha-01生物被膜形成的过程及不同培养条件(碳源、p H值、Na Cl质量分数、黏附材料)对其生物被膜形成的影响,采用超声波平板法及扫描电镜法研究不同培养条件下菌株Ha-01生物被膜活菌数及生长情况,并通过添加外源标准群体感应信号分子(N-酰基高丝氨酸内酯(N-acyl-homoserine lactones,AHLs))中的C6-HSL研究了AHLs与其生物被膜形成的关系。结果显示,菌株Ha-01生物被膜的形成与培养时间密切相关;在不同碳源的培养条件下形成生物被膜能力不同,其中在以木糖为培养基时形成量最大,达到7.51(lg(CFU/cm~2)),与在LB培养基中相比增加10.28%;在中性培养条件下更利于其生物被膜的形成,活菌数为7.77(lg(CFU/cm~2));在Na Cl质量分数为2%时,其生物被膜产生量最大,活菌数为7.18(lg(CFU/cm~2));在不同黏附材料上生物被膜形成能力从大到小依次为铝片、锌片、玻璃片,活菌数分别为7.22、6.48、6.11(lg(CFU/cm~2));且添加C6-HSL量越多,其生物被膜产生能力越强。研究表明,培养条件能够影响菌株Ha-01生物被膜形成,且AHLs可以调控其生物被膜形成。 相似文献
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88.
基于微观相场动力学模型,对应变诱发镍基合金粗化过程共格沉淀相的形貌不稳定性及其发展规律进行了研究.结果表明,应变能作用下,粗化过程中沉淀颗粒界面曲率发生变化,通过沿[10]方向尺寸减小与[11]方向尺寸增大,转变为方形.低应变能作用下,沉淀颗粒形貌由圆形转变为周边圆滑,边长向外凸的方形颗粒;中等应变能作用下,沉淀颗粒形貌由圆形变为边长向内凹的方形;高应变能作用下,圆形沉淀颗粒先转变为方形,再从方形颗粒中心“分裂”为2个长条状颗粒,进一步转变为双透镜形状. 相似文献
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