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介绍了开关磁阻电机调速系统国内外发展情况，系统的组成，基本工作原理，性能及其特点。由于该装置简单，可靠、性能价格比高，是继变频器之后的“又一个变速传动系统发展历史上的一个里程碑”。［１］本文还提出改进及今后发展的方向。 相似文献
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在主动声自导鱼雷解命中原理的基础上,利用主动声自导鱼雷自控终点的散布特点,将主动声自导鱼雷的运动和主动自导在方位上的搜索结合起来,建立了主动寻的自导开机后任意时刻的搜索波门模型,从而达到了逼真模拟主动寻的自导捕捉目标过程和准确求取目标捕捉概率的目的.最后利用本模型对不同参数的主动声自导鱼雷(主动自导)的目标捕捉概率进行... 相似文献
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一种变压器节能新方法的分析研究 总被引：3，自引：0，他引：3
研究了利用三次谐波磁密对基波磁密的调制技术降低变压器铁耗的基本原理,提出了最佳调制的条件和可以利用的范围,对调制效果也进行了分析。 相似文献
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Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化 总被引：1，自引：0，他引：1
在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径。 相似文献
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通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大。无论使用何种pH值调节剂,pH值为10～11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能够稳定在43nm左右。随着pH值的升高,Si片与抛光液的反应越来越强烈,其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大。pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成速率和去除速率,并最终影响Si片化学机械抛光的效果。 相似文献
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研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响.在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2％,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35％,活性剂体积分数为2％,H2O2体积分数为2％的FA/O精抛液.并在MIT854布线片上进行了精抛测试.结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm.并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦.精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标. 相似文献
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本文通过介绍信息技术的应用，例如在中小水电站自动监控系统，在水泥厂的生产过程中应用CIMS技术中的质量保证系统等，认为火工厂应当设计和使用电子信息技术，提高生产的安全和质量可靠性。提出实现此目标的3个步骤：单机（或单一工序）的信息传递系统；生产线的信息控制系统和全厂的生产信息管理系统。最后探索此技术有其实现的可能性和经济意义。 相似文献
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在阻挡层平坦化的过程中,由于不同材料去除速率的要求,所以有必要研发一种阻挡层抛光液来改善Cu/barrier/TEOS(SiO2)速率的选择性来减小蚀坑和碟形坑,。本次实验中,研发了一种不含腐蚀抑制剂BTA的FA/O碱性阻挡层抛光液。它包含了20mL/L的FA/O螯合剂,5mL/L的表面活性剂,磨料浓度为1:5,pH值为8.0。通过控制抛光液的成分,有效的控制了不同材料的去除速率。最后,考察FA/O阻挡层抛光液对介电层材料的影响。在进行完CMP过程后,检测介电层材料的性能。结果显示,漏电流在皮安级,电阻2.4 kΩ,电容2.3pF,碟形坑和蚀坑都在30nm以下。介质层的各项指标完全满足工业化生产的需要。 相似文献
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