全文获取类型
收费全文 | 397篇 |
免费 | 14篇 |
国内免费 | 27篇 |
学科分类
工业技术 | 438篇 |
出版年
2023年 | 7篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 4篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 30篇 |
2013年 | 19篇 |
2012年 | 18篇 |
2011年 | 24篇 |
2010年 | 17篇 |
2009年 | 18篇 |
2008年 | 22篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 14篇 |
2005年 | 15篇 |
2004年 | 16篇 |
2003年 | 11篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 12篇 |
1998年 | 14篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1985年 | 4篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 3篇 |
排序方式: 共有438条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
提出了一种新的微型传声器电容结构,即侧孔式微传声器。侧面开孔一方面降低了振膜的初始应力,提高振膜的机械灵敏度。另一方面,侧面开孔可以减小气流阻力,提高微传声器的频率宽度,同时避免了背孔结构可能带来的"软背极板"效应。使用有限元分析软件ANSYS和MATLAB软件对侧孔式微传声器的机械灵敏度和频率响应进行了理论模拟。 相似文献
112.
将溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备的钛酸铅(PT)纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物〔P(VDF-TrFE)〕中,制成PT/P(VDF-TrFE)复合热释电敏感膜,提高其热释电优值和探测优值。实验结果表明,掺入体积比为012PT粉粒的PT/P(VDF-TrFE)敏感膜,比同样成膜条件的P(VDF-TrFE)膜的热释电优值提高20%,探测优值提高35%。根据实验结果,提出了在铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后,计算复合膜介电系数和热电系数的方法。 相似文献
113.
采用MSC Nastran与传动CAE分析相结合的全新技术,对某商用车桥主减总成进行轻量化设计.使用子结构法从MSC Nastran中提取差壳、减壳和桥壳等壳体的刚度矩阵与节点位置信息,在传动CAE分析软件中建立整桥仿真分析模型并进行柔性分析,即可得到考虑差壳、减壳和桥壳等壳体实际刚度的锥齿轮安全因数,将分析得到的数据作为边界条件导入有限元模型中,为差壳、减壳等壳体的轻量化仿真分析提供新的思路,使减重达到15%且满足强度要求. 相似文献
114.
115.
大学生创新能力的培养是当前高等教育面临的一个重要课题。在此结合具体教学案例,从更新教学理念,培养大学生创新精神;深化教学改革,建立大学生创新思维模式;完善教学体系,提高大学生创新积极性等方面系统论证了教学过程中对大学生创新能力的培养。 相似文献
116.
用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。 相似文献
117.
从弹性力学的板壳理论出发,对不同参数的凸型板结构形变膜受压后的应力分布作了近似计算,为高线性度SOI压力传感器的芯片设计提供了理论指导.用BESOI技术研制的凸型板结构集成压力传感器的非线性度达0.09%,样品灵敏度的实测值与应力计算理论值的差别约17%. 相似文献
118.
用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07%.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应力,使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大,可能是TCR增大的原因. 相似文献
119.
本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺,并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构.采用这种FIPOS(FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon)技术在n-/n+/n-衬底上形成的SOI(SiliconOnInsulator)结构,其顶层硅岛厚度可控制在较广范围(从100nm到数μm),且硅岛宽度可大于100μm.XTEM结果显示顶层硅/氧化层界面非常平整和均匀.在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器,环振的门延迟为396ps. 相似文献
120.
Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大。光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量。 相似文献