浅析水文要素对湿地生态系统的影响

水文对湿地生态系统结构和功能具有重要影响,通过物理和化学两方面的作用影响生态系统的生物组成,生物组成反过来影响水文条件,本文对此进行了阐述。     

10万t／a芳烃抽提装置的改造设计

针对目前很多炼厂在汽油新标准实施后成品汽油中苯含量难以达标的问题，本文以广州石油化工总厂10万t/a芳烃抽提装置的改造设计为例，着重介绍了该装置的改造情况及投资情况，对改造方案的可行性进行了探讨。     

基于NiosⅡ多核智能交通车载终端的设计与实现

利用NiosⅡ多核处理器,提出了基于Internet的实时路况查询系统和智能车载终端。通过配置双NiosⅡ软核,改善了MCU处理速度不高、外设资源有限、接口配置繁琐、硬件设计和软件设计编程复杂等问题,将大量控制以及对多种外设访问的工作进行了合理分配。既具有普通导航设备的方便实用性,又能通过无线通讯及Internet与后台服务器连接,获取道路拥堵情况、停车场车位情况等动态实时信息,同时可作为智能交通的车载前端。     

乙炔氢氯化反应用无汞催化剂的制备及优化

以活性炭为载体、氯金酸和氯化亚铜为活性组分,采用等体积浸渍法制备无汞催化剂,在固定床反应器上评价该催化剂的催化活性。通过添加氯化锡、氯化铋和氯化铈等助剂制备多组分无汞催化剂,考察多组分催化剂的催化性能,结果表明,添加辅助组分与助剂可以显著提高无汞催化剂催化活性。使用正交法筛选出AuCl_3-CuCl-SnCl_4-BiCl_3-CeCl_3/C催化剂,乙炔转化率达90. 8%,氯乙烯选择性为99. 6%,最佳质量配比为2%AuCl_3/21%CuCl/9%SnCl_4/4%BiCl_3/2%CeCl_3。并对其工艺条件进行研究,结果表明,最佳工艺条件为:反应温度140℃,进料比V(HCl)∶V(C_2H_2)=1. 05,活化时间80 min。     

关于地埋管换热器热响应试验的讨论

本文综述了地埋管地热换热器热响应试验技术的发展和现状,介绍了美国相关的标准和技术要求.对我国现存的两种热响应试验方法,即"恒热流法"和"恒温法",进行了评价,指出:对于大中型的地埋管换热器项目,应当现场测试岩土体的热物性,并按规范的要求进行地埋管换热器的设计计算.     

存在侵蚀燃烧的发射药高、低温内弹道性能研究

为研究存在侵蚀燃烧的发射药高、低温内弹道性能,分析了发射药初温变化引起的火药热焓变化及对侵蚀燃烧的影响,修正了常温发射药的侵蚀函数,得到了高、低温多孔药燃速的数学表达式,建立了多孔发射药高、低温内弹道数学模型。应用该模型对某大口径舰炮高、低温内弹道进行仿真,计算结果和试验值一致性较好。通过对比仿真研究可得结论:考虑火药热焓变化对侵蚀燃烧影响的多孔发射药高、低温内弹道仿真结果更接近试验值。     

我国锆资源现状分析及可持续发展建议

锆作为战略性新兴矿产资源,广泛应用于陶瓷、化工、铸造、航空航天及原子能等领域。近年来锆产业迅速发展,我国已成为世界上锆资源消费与进口大国。本文在分析锆资源特点、分布、储量、产量、进口量和市场价格等的基础上,提出当前我国锆产业中尚存在的一些问题,如资源勘查程度低、对外依存度高、技术工艺落后、资源利用率低、产业结构不合理、环境污染严重等。对此,提出加大资源勘查力度,提升开采、冶炼水平,优化锆产业结构,注重环境资源保护等对策和建议,以提高我国锆矿及产品的国际竞争力,保障我国锆产业的健康可持续发展。     

依非韦伦中间体的不对称合成

为了优化依非韦伦手性中间体（S）-1-（2-氨基-5-氯苯基）-1-三氟甲基-3-环丙基-2-丙炔-1-醇的不对称合成工艺。以对氯苯胺为起始原料,经过氨基保护、酰化反应、氨基脱保护、碱化、不对称加成得到目标化合物。所得化合物结构均经核磁共振氢谱和碳谱确证。得到不对称加成反应最佳工艺条件:2-甲基四氢呋喃/甲苯为溶剂,4-氯-2-（三氟乙酰基）苯胺的浓度为0.45 mol/L,4-氯-2-（三氟乙酰基）苯胺、（1R, 2S）-1-苯基-2-（吡咯烷基）-1-丙醇与ZnCl2的摩尔比为1.0∶1.2∶1.3,总收率达79.8%（以对氯苯胺计）,对映体过量98.2%。优化后的工艺条件具有成本低、收率高,适合工业生产的特点。     

全自动洗衣机的模糊控制分析

对全自动洗衣机的模糊控制进行了分析,详细介绍了如何定义洗衣机的模糊控制输入、输出量.根据专家知识和手动操作人员长期积累的经验,给出了模糊控制的具体规则.以确定洗衣机洗涤时间为例,利用M atlab进行了仿真研究,采用取小运算对模糊规则进行推理,并采用最大平均法得到反模糊化结果,所得结果与理论计算结果接近相同.     

Si(100)面上3C-SiC的生长

１０００℃下用Ｓｉ２Ｈ６和Ｃ２Ｈ４在Ｓｉ（１００）面上用气源分子束外延进行了ＳｉＣ的生长,Ｘ射线双晶衍射和ＨＲＥＥＤ表明外延层为３Ｃ－ＳｉＣ单晶;俄歇电子谱分析其中的Ｓｉ／Ｃ约为１．６．用Ｎｏ－ｍａｒｓｋｉ光学显微镜观察,其表面存在类似四边形的缺陷;与不同温度,不同Ｃ２Ｈ４流量下Ｓｉ衬底碳化形成的碳化层表面进行了比较,分析了缺陷形成的原因．