FSH—K5型原油含水率监测仪在线运行误差因素分析

ＦＳＨ－Ｋ５型原油含水率监测仪，属射线型自动含水监测仪，其优点是测量速度快，可以连续进行测量，易和计算机联接等。通过工业现场使用，发现该仪表存在较大的计量误差，但误差的出现都有规律可循。本文将介绍仪表受被测原油的温度，流速及组份等因素影响的规律性的     

宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化

噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵消结构的噪声系数随频率变化的解析表达式。通过与仿真结果对比,验证了该解析表达式的准确性。在此基础上,分析了匹配器件的高频噪声不能完全抵消时该结构的噪声系数。最后,提出了一种噪声抵消结构的优化设计方法。     

非均匀金属线宽和线间距射频螺旋电感品质因子的改善

为了提高品质因子Q,本文提出了一种非均匀金属条宽和非均匀条间距的改进电感结构。从外圈到里圈,改进的电感金属线宽按等差数列逐渐减小,金属间距按等比数列增加。因为该渐变结构有效减弱了线圈中心电流拥挤导致的涡流效应,所以改进结构电感的Q因子大幅度提高（幅值高达42.86%）。为了进一步增大Q因子,新型电感同时采用图形化接地保护结构（PGS）与渐变结构。结果显示,在0.5GHz到16GHz的射频频段内,结合两种技术的新型电感的品质因子Q最优,与固定金属线宽和间距的传统电感相比,Q提高了67%;与仅采纳PGS结构的电感相比,Q提高了23%;与仅采用渐变金属结构的电感相比,Q提高了20%。     

双频带低噪声放大器设计

基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器.放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响.输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配.结果表明,该低噪...     

Cascode射频有源电感的设计

基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较.分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素.最终采用Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦...     

一种性能多种重构的高频压控有源电感

提出了一种性能多种重构的高频压控有源电感(HFVCAI).电路主要由第一回转回路、第二回转回路以及调控支路构成,且第一回转回路和第二回转回路并联,调控支路与第一回转回路连接,两个回转回路均配置了外部调控端.通过协同调节3个外部调控端,可对HFVCAI的性能进行3种重构:在高频工作区能够对电感值进行大范围调控,且同时能保...     

特高压直流输电工程直流滤波器故障仿真

为了确定特高压直流输电工程中直流滤波器各设备的暂态定值,需要对直流滤波器的故障工况进行研究。根据工程经验,在暂态定值研究中需要考虑的故障工况包括直流滤波器高压端(或直流极线)对地短路和直流极线上侵入操作波。通过在仿真程序中建立直流滤波器的故障模型,并充分考虑不同的对地故障距离对直流滤波器各设备的影响,从中选出各设备最苛刻的应力。文中通过对三调谐滤波器的故障仿真对该方法做了进一步说明。仿真结果显示,该研究方法对确定直流滤波器暂态定值具有决定性作用。     

0.9GHz和2.4GHz 双频段 SiGe HBT 低噪声放大器的设计

This paper presents design and implementation of a dual-band LNA using a 0.35μm SiGe HBT process for 0.9 GHz GSM and 2.4 GHz WLAN applications.PCB layout parasitic effects have a vital effect on circuit performance and are accounted for using electro-magnetic（EM） simulation.Design considerations of noise decoupling, input/output impedance matching,and current reuse are described in detail.At 0.9/2.4 GHz,gain and noise figure are 13/16 dB and 4.2/3.9 dB,respectively.Both S₁₁ and S₂₂ are below -10 dB.Power dissipation is 40 mW at 3.5 V supply.     

一种无电感超宽带低噪声放大器的设计

基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款工作在3～10 GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器.该放大器采用电阻负反馈结构,并在发射极并联电容,以补偿晶体管高频增益的下降.仿真结果显示,在整个工作频带内,放大器的增益在22.3 dB以上,平坦度保持在1 dB以内,噪声系数在3.7 dB到4.6 dB之间,输入输出反射系数(S_(11)及S_(22))均在-12 dB以下.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,对于商业应用具有极大的吸引力.     

微波功率SiGe HBT的温度特性

通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.