P110SS钢在H2S和CO2环境中的腐蚀特征

利用高温高压哈氏合金反应釜对P110SS油套管钢在不同H2S和CO2环境下的腐蚀行为进行了实验。研究了H2S和CO2分压对P110SS油套管钢腐蚀规律的影响,利用SEM、EDS、XRD等方法分析了腐蚀试样的微观形貌与结构特征,发现P110SS在较低温度条件下,H2S浓度非常低时,腐蚀特征与单纯CO2腐蚀规律相似,腐蚀速率比较高。在相同的H2S分压条件下,随CO2浓度增加,腐蚀速率依次增加。通过应力腐蚀开裂试验表明,P110SS在高温205℃条件下应力腐蚀开裂敏感较小。     

海上“落鱼”井实施打捞与侧钻方案的经济分析

井下"落鱼"打捞工期的不确定性导致施工成本不可控,制定合理的打捞经济决策点至关重要。本文以渤海油田某"落鱼"井为例,不打捞"落鱼"则需在"落鱼"上部进行套管开窗侧钻,为两开井身结构,打捞"落鱼"则在套管鞋下裸眼侧钻,为一开井身结构,放弃打捞或者盲目打捞都并非最经济的方案。通过对冲砂打捞工期进行量化,提出了经济工期和决策工期,通过现场尝试冲砂打捞作业,在决策工期内分析其作业难度,并判断是否能够在经济工期内完成作业,最大程度降低总体实施成本,提高油田开发经济效益。渤海油田A井应用该决策方法,共节约费用近420万元。提出的"落鱼"井打捞经济工期和决策工期计算方法具有一定的推广价值。     

基于距离判别分析的矿山岩爆倾向性评价

为了科学有效地应用距离判别分析法评价某矿山深部岩爆倾向性等级,通过搜集整理大量国内外岩爆数据,并结合矿山深部现场情况,确定6个岩爆倾向性指标。选取9个待测点,进行力学试验获得待测点的岩爆指标,引用马氏距离建立评判准则,确定待测数据的岩爆倾向性,并通过回代误判率和交叉误判率检验判别准则的准确度。结果表明：该金属矿待测点X2、X3、X4、X5、X7、X8和X9的岩爆倾向性均为轻微岩爆,待测点X6的岩爆倾向性为中等岩爆,待测点X1的岩爆倾向性为强岩爆。矿山实际情况表明,待测点X1有强岩爆现象发生,评价结果与矿山实际情况相符。该方法在矿山岩爆倾向性评价中具有较好的适用性和有效性。     

高烈度区域隧道工程的抗震分析及措施

用静力法定性分析了隧道在典型的Ⅷ度和Ⅸ度地震烈度下,不同埋深下的整体破坏模式,并采用ansys软件研究分析了某高烈度区域隧道设计各埋深段的安全系数,针对隧道设计提出了有关抗震的指导性建议。     

应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器

报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级问匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mmX 0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和116%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了能性.     

一种可编程的2.4GHz CMOS多模分频器

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种多模分频器.该多模分频器由一个除4或5的预分频器和一个除128～255多模分频器在同一芯片上连接而成;在电路设计中,分析了预分频器功耗和速度之间的折中关系,根据每级单元电路的输入频率不同对128～255多模分频器采用了功耗优化技术;对整个芯片的输入输出PAD进行了ESD保护设计;该分频器在单端信号输入情况下可以工作到2.4GHz,在差分信号输入下可以工作到2.6GHz以上;在3.3V电源电压下,双模预分频器的工作电流为11mA,多模分频器的工作电流为17mA;不包括PAD的芯片核心区域面积为0.65mm×0.3mm.该可编程多模分频器可以用于2.4GHz ISM频段锁相环式频率综合器.     

微机监测分析系统在火电厂125MW机组中的应用

本文介绍了我们为某电厂１２５ＭＷ火电机组设计、安装、调试的一个实用的ＭＡＳ微机监测分析系统,叙述了该系统的硬件结构,软件组织以及系统的功能和特点,最后给出了该系统的投运情况以及它的应用前景。     

智能变电站二次检修安措防误技术分析

智能变电站在现代电力系统中起着重要的作用,但是在进行二次检修时,由于设备复杂多样,工作环境恶劣,误操作很容易发生,给电网的安全和稳定运行带来严重威胁。该文通过对智能变电站二次检修的安全隐患分析,阐述智能变电站二次检修安措防误技术的特征、概述、方案设计、数字化技术应用、保障策略及发展趋势等方面。通过对该技术的研究,可以为智能变电站的安全生产提供有益参考。     

双层InGaAs沟道InP HEMT

阐述了一种新型的In0.80Ga0.02As／In0.053。Ga0.47 As双沟道InP HEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率,又可获得很高的直流输出电流．0．35μ栅长HEMT器件的电流增益截止频率达到120GHz,饱和电流密度、跨导达到790mA/mm、1 050mS／mm,栅极击穿电压和通态击穿电压分别为5V和3．2V。     

无线通信抗干扰技术研究

无线通信技术的快速发展极大地方便了人们的沟通,打破了时间和空间的限制,有效地促进了社会的发展。但是,在使用无线通信的过程中,由于受到一些因素的干扰,造成信号清晰度不足、稳定性不强,很大程度上影响了通信质量,确保无线通信信号能够正常接收和传输成为当前研究的重要方向。文章分析了无线通信信号干扰因素,探讨了无线通信抗干扰技术,以期促进我国通信行业的进一步发展。