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61.
利用化学镀的方法制备了CoWP磁性薄膜。研究了施镀时间对化学镀CoWP薄膜矫顽力和饱和磁化强度的影响,并利用场发射扫描电子显微镜(FSEM)、X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)研究了CoWP磁性薄膜的表面形貌、成分、微结构及磁学性能。结果表明,化学镀CoWP薄膜主要为hcp结构Co相,晶粒大小为2~3μm;随着施镀时间的增加,CoWP薄膜的饱和磁化强度也随之增大,最高达到122emu/g;CoWP薄膜的矫顽力都在250Oe以下。通过计算Kelly-Hankel(δM)曲线,证实了CoWP磁性薄膜中存在交换耦合作用,产生了剩磁增强效应。  相似文献   
62.
采用熔体快淬及热处理制备了MnxBi100-x(x=46、52、56、60、62)永磁材料。利用差热分析、X射线衍射和振动样品磁强计对该系列合金的结构和磁性能进行了表征。研究了合金中Mn含量对合金低温相形成的影响。结果表明,熔体快淬方法能有效地避免Mn的偏析,再经过真空热处理能够制备高纯度的低温相MnBi合金。随着Mn含量的增加,矫顽力和最大磁能积均呈先增后减。当Mn含量为56at%时,矫顽力和最大磁能积均达到最大值,分别为0.19T和5.97kJ/m3。  相似文献   
63.
采用外加垂直磁场的电化学沉积方法制备了Co-Pt-P薄膜。对薄膜的结构及成分进行了分析,并借助电化学检测技术研究了薄膜在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的耐蚀性。结果表明:随着磁场强度的增大,Co-Pt-P薄膜表面的晶粒逐渐细化,ε-Co的质量分数增加;薄膜在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的自腐蚀电位逐渐正移,电极/溶液界面的双电层电容Cd降低,表面沉积膜电阻Rf和电荷传递电阻Rt增大,自腐蚀电流密度逐渐减小,耐蚀性增强。  相似文献   
64.
研究了沉积在具有无规分形结构的α-Al2O3陶瓷基底上的两侧非平整无序Pt和Au薄膜的异常R-T特性。实验结果表明:在12~200K的温区内,当薄膜的方块电阻减小至102~103Ω量级时,基底上的分形结构开始对样品的R-T特性产生明显的影响,电阻温度系数由正向负急剧转化。分析认为,在低温区的此种异常现象是由薄膜中的电子-电子相互作用和电子的弱局域化效应引起的。  相似文献   
65.
用溶剂热法合成了锰锌铁氧体,并用XRD,SEM,VSM对其进行了性能表征。本实验还系统研究了溶剂热合成条件如锰锌元素比,溶剂热温度,溶剂热时间对实验所得样品形貌以及性能的影响。结果表明,当温度为160和180 ℃时,并未形成锰锌铁氧体,锰锌铁氧体的形成温度为200 ℃;随着溶剂热时间的延长,锰锌铁氧体颗粒变得更加均匀且粒径变大,饱和磁化强度增加;锰锌铁氧体中锰元素的增加不会显著改变锰锌铁氧体的形貌,却可以使得锰锌铁氧体的饱和磁化强度增加。  相似文献   
66.
近年来发展了一种利用块体非晶合金直接晶化制备Nd-Fe-B基纳米复合永磁体的新方法。介绍了该方法自成为研究热点以来,各个研究小组在Nd-Fe-B基合金非晶形成能力的提高和晶化后硬磁性能研究两个方面做出的富有成效的工作,并分析总结了影响Nd-Fe-B基合金非晶形成能力和磁性能的因素,指出控制磁体的微结构包括软硬磁相的组成和分布将是该方法获得性能优异的大块纳米复合永磁体的关键。  相似文献   
67.
采用外加垂直磁场的电化学技术制备Co-Mo-P薄膜。研究了垂直磁场强度对薄膜在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的耐蚀性的影响。结果表明:随着垂直磁场强度从0.1T增大到0.5T,薄膜在质量分数为3.5%的NaCl溶液中的自腐蚀电位正移,自腐蚀电流密度减小;此外,施加垂直磁场有助于薄膜中Co和Mo的沉积,薄膜表面的晶粒细化,结构密实,耐蚀性得到改善。  相似文献   
68.
报道了一种弥散型金属薄膜愈渗系统的制轩方法和测量结果,SEM照片显示此类薄膜具弥散型的边缘结构,从实验绿现:这种新型逾渗系统具有异常的非线性I-V特性和电流临界规律。分析表明:这些特性主要是由该系统的弥散型边缘效应引起的。  相似文献   
69.
采用脉冲电沉积法制备Co-W 磁性薄膜.研究脉冲周期和占空比对沉积速率,Co-W薄膜的形貌、结构以及磁性能的影响.结果表明:脉冲周期与占空比对薄膜的沉积速率、形貌、结构和磁性能都有较大的影响.随着脉冲周期和占空比的不断增加,沉积速率呈现先增大后减小的趋势;而Co-W薄膜的矫顽力呈现减小的趋势.这主要是由于晶粒尺寸增大的缘故.AFM研究表明:随着占空比增大,薄膜颗粒增大,表面平整度下降,空隙率增加;脉冲周期影响薄膜表面聚集颗粒团;增大脉冲周期,该聚集团会增大.  相似文献   
70.
系统研究了Mn位替代的La0.67Ca0.33Mn1-xAlxO3体系的结构和输运特性.结果表明,随Al3+替代含量的增加,在整个替代范围内,晶胞体积表现出单调减小的规律.而体系的电阻率急剧增加,绝缘体-金属转变温度TIM向低温方向移动,且与Al3+替代含量存在线性关联.对少量Al3+替代含量,在T>TIM的高温区域体系的输运特性满足热激活模型,在T<TIM的低温区域满足金属输运行为.这种输运行为随Al3+替代的变化特征,可从Al3+离子对Mn3+-O2--Mn4+双交换通道的破坏和所导致的晶格畸变方面给予解释, Al3+替代改变了电子的局域环境,进而影响到体系的输运行为.  相似文献   
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