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一种基于单片机的大动态范围、高精度的光纤温度传感器的设计研制,用双光路、可编程增益放大系统来实现大动态范围的温度测量,并利用12位ADC将被测温度信号由模拟量转换为数字量,利用单片机系统达到高精度的要求,整个系统有非线性校正、多点温度补偿、多种测量方式可选、LCD显示和键盘输入等功能,且系统可与计算机通过RS-232接口通讯,将采样数据传输到上位机处理。 相似文献
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针对目前石墨烯器件的纳米薄膜由于转移工艺导致质量及一致性差的现状,本文基于常规的RCA清洗工艺对纳米薄膜湿法转移工艺进行了改进,完成了高质量石墨烯/氮化硼(BN)异质结的制备.本工艺在原有转移工艺中加入了清洗工艺,利用稀盐酸溶液和稀氨水分别去除薄膜转移过程中产生的重金属污染物和有机污染物,并通过稀HF溶液对衬底表面进行了预处理,提高纳米薄膜的平整度、减少褶皱,进一步提高石墨烯/BN异质结的质量.通过对常规工艺及改进转移工艺制备的异质结SEM扫描结果、电学性能及拉曼光谱的对比,改进后的转移工艺制备完成的异质结褶皱与污染物明显减少,电阻增大,2D/G峰强度比提升至3.23,异质结的质量有明显提高. 相似文献
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文章讨论了一种高速的RS－422接口板的实现,并就以此接口卡组成的测控网络的低层软件做了分析,最后给出了该卡的一个应用实例。 相似文献
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针对目前超级电容器电极材料能量密度较低、制备工艺复杂的难题,利用MOF材料的高比表面积、多孔结构的优势,本工作采用简单可控的一步水热法制备具有三维孔道网络结构的双金属NiMn-MOF纳米片,Ni与Mn相近的原子半径有利于双金属NiMn-MOF的合成以及暴露出更多的活性位点,通过不断优化工艺参数（水热温度和水热时间）,进行对比获得了高比容的NiMn-MOF电极材料。同时借助扫描电子显微技术（SEM）、能谱分析技术（EDS）、X射线衍射技术（XRD）对电极材料的形貌和晶体结构进行详细的表征,利用循环伏安（CV）、恒流充放电（GCD）、交流阻抗（EIS）进行电化学性能分析。在6 mol/L的KOH电解液中进行三电极测试,结果表明当电流密度为0.5 A/g时,其比容量高达1023.5 F/g。以双金属NiMn-MOF为正极,活性炭（AC）为负极组装的非对称超级电容器,在电流密度为0.5 A/g时,其比容量为94.37 F/g,并使用该器件成功点亮红色LED灯,表明所制备的双金属NiMn-MOF纳米片具有良好的电化学性能,为超级电容器电极材料的制备提供了新的思路。 相似文献
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针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41 μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10-3 Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。 相似文献
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