微条气体室探测器

本文从多丝正比室（MWPC）特点出发,详细介绍了MSGC的工作原理、结构设计原理、结构参数（包括衬底材料、微条材料、工作气体）的选择依据以及应用前景,并报道了MSGC的最新研究进展。     

基于树形贝叶斯网络的配电网快速灾情推断EI北大核心CSCD

近年来,极端灾害已经成为导致配电网大规模停电的重要原因之一。快速地对关键负荷的受灾情况进行推断,对于指导恢复抢修方案具有重要意义。传统的贝叶斯网络推断方法计算复杂度随网络节点增加呈指数上升,难以满足配电网灾情实时推断的需要。为此,结合配网开环运行的特点,建立树形的贝叶斯网络。在此基础上,提出快速灾情推断的流程和方法。对于任意选取的关键节点,该方法的计算复杂度均为节点数的一次多项式,克服了传统推断方法造成的维数灾难,可实现对大规模配电网的灾情实时推断。通过理论分析和算例仿真,验证了所提快速灾情推断方法的准确性和快速性,并论证了其在实际灾情推断中的作用。     

CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究

表面漏电流引起的噪声会限制CAznTe(CZT)探测器的性能。尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺：采用H2O2溶液和KOH—KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH—KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp^3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。     

微条气体室(MSGC)基板材料的研究

根据微条气体室(MSGC)探测器的工作原理,分析了MSGC基板的选择依据,同时首次提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性。采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM、Raman光谱仪、微电流仪对复合材料的表面状况、结构、I V和C F特性进行了表征。结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达约2.9×1010Ω·cm,电容值小且随频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要求。     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜,X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的FV测试结果表明暗电流在10-8～10-7A之间,α粒子(241Am 5.5MeV)辐照下电流为10-5～10-4A.     

基于全桥整流DC/DC电源转换模块的一二次融合成套开关故障分析与研究

介绍了一起10 kV一二次融合成套开关的故障情况,通过对开关本体及其馈线终端进行解体检查和试验,经分析可知该开关故障原因是由于外部异物短路引起,但同时也发现馈线终端内部全桥整流电源转换模块烧毁。基于Multisim仿真软件搭建了该馈线终端电源转换模块模型,进一步分析了电源转换模块烧毁的原因。针对发现的问题,分别从技术方面和管理方面提出了相应的建议及措施,能够有效发现或解决此类型开关在工程实践过程中存在的故障隐患。     

基于硬件逻辑的网络编码编解码算法

提出了一种基于硬件逻辑实现的通用网络编码编解码算法。编码算法运用随机线性网络编码对数据分组进行编码,解码算法则运用克莱默法则进行解码。对编码器和解码器的算法和结构进行了详细的设计,并最终运用硬件描述语言在NetFPGA开发板上实现了该设计。测试结果表明,与传统的路由节点相比,使用线速的网络编码编解码器的网络能够达到最大流最小割定理所确定的流量极限,并且端到端的传输延迟稳定在一个很小的常数上。     

液压千斤顶检定和校准控制要点分析

分析总结了液压千斤顶在检定和校验工作中的具体操作过程，并阐述了液压千斤顶检定和校准的控制要点及注意事项，以期指导施工现场液压千斤顶检定校验工作。     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜，并制作梳状电极的α粒子探测器．通过优化薄膜生长条件，发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时，金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜，X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的I-V测试结果表明暗电流在1e－8～1e－7A之间，α粒子（241Am 5.5MeV）辐照下电流为1e－5～1e－4A．     

(100)定向CVD金刚石薄膜的制备及其电学性能

采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源，氢气为载气，在适当的衬底温度下，合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜．SEM，XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高质量的多晶(100)取向膜，厚度均匀、化学性能稳定,结构和性能与天然金刚石相接近．研究了室温下(100)取向金刚石薄膜的暗电流电压特性、稳态55Fe 5.9keV X射线辐照下的响应和电容频率特性．结果表明，退火后(100)取向多晶金刚石薄膜具有较低的暗电流和较高的X射线响应；高频下，电容和介电损耗都很小且趋于稳定，不随频率的变化而变化．