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301.
302.
2008年9月18~19日,受中国表面工程协会委托,由重庆表面工程技术学会、重庆表面土程协会、北京电镀学会、北京电镀协会等单位共同主办的2008·中国重庆第六届表面工程技术学术论坛暨展览会隆重召开。来自全国各地与会代表200余人参加了这次电镀表面处理技术学术交流大会。会议邀请了台湾戴光勇研究员、北京电镀学会理事长、北京航空航天大学朱立群教授、解放军后勤学院欧忠文教授、中科院金属所严川伟研究员作了特邀学术报告。其他来自全国各地的学者在会上也作了学术交流。 相似文献
303.
304.
手机PCB镀金接插件腐蚀失效实例分析 总被引:2,自引:0,他引:2
通过两个带有镀金接插件的手机PCB腐蚀失效的实例.从元件表面出现的腐蚀失效的现象出发.结合这些失效部位的腐蚀形貌、腐蚀产物等特点,分析了手机PCB上接插件镀金表面层在自然存放条件和加速腐蚀条件下出现腐蚀失效、达不到有效保护作用的主要原因,包括表面镀金层本身存在孔隙、划痕等表面缺陷.电镀过程中引入污染物,装配过程中形成缝隙等;另一个重要原因是镀金层厚度薄,不能提供足够的防护性能。并针对这些因素提出了相应的改善措施和建议。 相似文献
305.
高浓盘磨旧磨片的复磨回用 总被引:2,自引:1,他引:1
在APMP制浆过程中,盘磨磨片是成浆质量的关键,磨片的使用状况,工艺寿命对磨浆的产量,能耗,盘磨机的安全运行及各项经济指标起决定性作用,岳阳纸业集团化机浆一段,二段磨所用磨片,一直使用引进A.B.S公司带来的备件,随着生产的进行,目前磨片备件已全部消耗,在进行磨片国产化的同时,为缓解磨片备件紧缺的情况,节约磨片成本,我们对使用过的旧磨片进行了全面的清理,并对其中大部分进行了金加工复磨处理再回用,取得了较好的经济效益。 相似文献
306.
研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜.利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜,对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底,并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN.X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为(111)取向.扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h,ZnAl2O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构,相应的GaN X 射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
307.
308.
根据抗H2S腐蚀X70管线钢的使用特点,采用低碳、超低硫、超低磷、控制Mn含量的技术思路,以控制MnS夹杂物数量和形态、铸坯的枝晶偏析与中心偏析。通过实验室的控轧控冷试验,分析了不同终轧温度和终冷温度对组织和性能的影响,试验结果表明,终轧温度为820℃和840℃时,均可获得准多边形铁素体+粒状贝氏体组织,随着终轧温度的降低,晶粒细化;随着终冷温度的降低,粒状贝氏体含量增加。通过实验室研究结果,确定了工业生产方案,并完成了工业试制。试验结果表明,在820℃终轧,400℃卷取可以获得组织为准多边形铁素体+粒状贝氏体、综合性能优良的产品,其抗HIC敏感测试为0,抗SSCC性能未失效。 相似文献
309.
310.
雷击是年复一年的严重自然灾害之一。随着我国现代化建设的不断发展,通信设备越来越多,规模越来越大。一方面,大型电子计算机网络、程控交换机等系统设备耐过电流、耐雷电压的水平越来越低;另一方面,由于信号来源路径增多,系统较 相似文献